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1 - 10 Résultats pour fast switching transistor de 10714 produits
Transistor fait sur commande de Npn de puissance élevée, transistor de commutation rapide 12A
AOD442G transistor MOSFET du N-canal 60V Description générale Le transistor MOSFET avancé de fossé du cartel AOD444/AOI444 technologie...
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Fournisseur Vérifié
Pièce 2013, bâtiment international de DingCheng, ZhenHua Road, secteur de FuTian, Shenzhen, province du Guangdong
Transistor de puissance de MMBTA56 NPN Darlington, transistor de commutation rapide NPN
SOT-23 Plastique-encapsulent le TRANSISTOR des transistors MMBTA56 (NPN) CARACTÉRISTIQUE l applications d'usage universel d'amplificateu...
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
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Le transistor de transistor MOSFET de la Manche d'IRF9540NPBF P, 100V 23A jeûnent transistor de commutation
P creusent des rigoles la puissance élevée de transistor MOSFET de transistor de commutation d'IRF9540NPBF TO-220 100V 23A Description La cin...
Technologie Ltd de l'électronique de Shenzhen ATFU
Pièce 1120, plancher 11rd, nouvelle Asie Guoli Building, secteur de Futian, ville de Shenzhen, province du Guangdong Chine, code postal : 518031
Transistor de transistor MOSFET de la Manche d'IRF9540NPBF P, transistor de commutation rapide de 100V 23A
Puissance élevée de transistor MOSFET de transistor de commutation de la Manche IRF9540NPBF TO-220 100V 23A de PDescription La cinquième génér...
ChongMing Group (HK) International Co., Ltd
Pièce 1204, bâtiment international de Dingcheng, ZhenHua Road, secteur de Futian, Shenzhen, Chine.
Transistor fait sur commande de Npn de puissance élevée, transistor de commutation rapide 12A
AOD442G transistor MOSFET du N-canal 60V Description générale Le transistor MOSFET avancé de fossé du cartel AOD444/AOI444 technologie...
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Pièce 2013, bâtiment international de DingCheng, ZhenHua Road, secteur de FuTian, Shenzhen, province du Guangdong
MMBTA56 NPN Darlington Power Transistor, transistor de changement rapide NPN
SOT-23 Plastique-encapsulent la CARACTÉRISTIQUE l inscription d'usage universel du TRANSISTOR des transistors MMBTA56 (NPN) d'applications d'amplificateur : Résistance thermique de mW RΘJA de la dissipation de puissance de collecteur de PC du courant de collecteur de la tension -4 V IC d'Émetteur-base de la tension de collecteur-émetteur de la tension de collecteur-base de l'unité VCBO de va...
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Pièce 2013, bâtiment international de DingCheng, ZhenHua Road, secteur de FuTian, Shenzhen, province du Guangdong
Temps de changement rapide Mos Field Effect Transistor, transistor de commutateur électrique
Le temps de changement rapide Mos Field Effect Transistor, transistor Mos Field Effect Transistor Description Mos Field Effect Transistor de commutateur électrique sont employés dans les beaucoup alimentation d'énergie et applications de puissance générale, particulièrement comme commutateurs. S variable incluent les transistors MOSFET planaires, VMOS, UMOS TrenchMOS, HEXFETs et d'autres dif...
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Pièce 2013, bâtiment international de DingCheng, ZhenHua Road, secteur de FuTian, Shenzhen, province du Guangdong
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