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JY213H 600V pilote de porte triphasée IC.

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JY213H 600V Pilote de grille triphasé | Pilote MOSFET et IGBT haute vitesse Présentation Le JY213H est un pilote de MOSFET et d'IGBT haute vitesse...
Shanghai Juyi Electronic Technology Development Co., Ltd
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No. 1, ruelle 1199, route yunping, secteur jiading, Changhaï, Chine

DK7740HC Machine d'électroérosion à fil de vitesse moyenne

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DK7740HC Machine d'électroérosion à fil à vitesse moyenne La DK7740HC est une machine d'électroérosion à fil CNC haute performance (type fi...
Taizhou Hanyang CNC Machine Manufacturing Co., Ltd
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Le numéro 16 de la rue XingTai, ville de Jiulong, ville de Taizhou, Jiangsu

Juyi JY213H BLDC conducteur moteur MOSFET / IGBT conducteur haute vitesse 3 - phase demi - pont

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Conducteur triphasé à haute tension de porte de JY213H le côté indépendant du ciel et terre trois étant mis en référence canaux de sortie...
Shanghai Juyi Electronic Technology Development Co., Ltd
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No. 1, ruelle 1199, route yunping, secteur jiading, Changhaï, Chine

Transistor de puissance de transistor MOSFET de haute performance avec la densité élevée extrême de cellules

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Transistor de puissance de transistor MOSFET de la plus haute performance avec la densité élevée extrême de cellules Description de caractérist...
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
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Pièce 2013, bâtiment international de DingCheng, ZhenHua Road, secteur de FuTian, Shenzhen, province du Guangdong

le commutateur à forte intensité de transistor MOSFET de 10N60 K-MTQ/10A 600V conjuguent commutateur de transistor MOSFET

China le commutateur à forte intensité de transistor MOSFET de 10N60 K-MTQ/10A 600V conjuguent commutateur de transistor MOSFET on sale
transistor MOSFET de PUISSANCE de 10N60 K-MTQ 10A 600VN-CHANNEL DESCRIPTION L'UTC 10N60K-MTQ est un transistor MOSFET à haute tension de puis...
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
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Pièce 2013, bâtiment international de DingCheng, ZhenHua Road, secteur de FuTian, Shenzhen, province du Guangdong

Transistor sans plomb de transistor MOSFET de la Manche de N, transistor à grande vitesse IRF640NPBF de transistor MOSFET de 200V 18A

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La Manche 200V 18A du transport N d'IMMERSION d'IRF640NPBF commutant le transistor de puissance de transistor MOSFET Description Le transi...
Shenzhen ATFU Electronics Technology ltd
Pièce 1120, plancher 11rd, nouveau bâtiment de l'Asie Guoli, secteur de Futian, ville de Shenzhen, province du Guangdong Chine, code postal : 518031

Transistor de puissance de transistor MOSFET de haute performance avec la densité élevée extrême de cellules

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Transistor de puissance de transistor MOSFET de la plus haute performance avec la densité élevée extrême de cellules Description de caractérist...
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Pièce 2013, bâtiment international de DingCheng, ZhenHua Road, secteur de FuTian, Shenzhen, province du Guangdong

le commutateur à forte intensité de transistor MOSFET de 10N60 K-MTQ/10A 600V conjuguent commutateur de transistor MOSFET

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transistor MOSFET de PUISSANCE de 10N60 K-MTQ 10A 600VN-CHANNEL DESCRIPTION L'UTC 10N60K-MTQ est un transistor MOSFET à haute tension de puis...
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