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Transistor original de la Manche de P/transistor à haute tension 50P06D TO-252

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Transistor original de la Manche de P/transistor à haute tension 50P06D TO-252 DESCRIPTION de transistor de la Manche de P Le fossé avancé...
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
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Pièce 2013, bâtiment international de DingCheng, ZhenHua Road, secteur de FuTian, Shenzhen, province du Guangdong

Transistor de niveau de logique de paquet de TO-220-3L/transistor à haute tension 100V

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Transistor de niveau de logique de paquet de TO-220-3L/transistor à haute tension 100V Applications de niveau de transistor de logique Com...
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Transistor de niveau de la logique HXY4616, transistor MOSFET complémentaire à haute tension du transistor 30V

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Transistor MOSFET complémentaire de HXY4616 30V Description Les utilisations HXY4616 avancées trench la technologie au RDS provideexcellen...
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Transistor de puissance à haute tension de fréquence ultra-haute du transistor de transistor MOSFET d'OEM/AP10H03DF

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Transistor de puissance à haute tension de fréquence ultra-haute du transistor de transistor MOSFET d'OEM/AP10H03DF Description à haute tension...
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Transistor à forte intensité d'AP30N10D, transistor à effet de champ de 30A 100V TO-252

China Transistor à forte intensité d'AP30N10D, transistor à effet de champ de 30A 100V TO-252 on sale
Transistor à forte intensité d'AP30N10D, transistor à effet de champ de 30A 100V TO-252 Types à forte intensité de transistor Les transist...
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Transistor original de la Manche de P/transistor à haute tension 50P06D TO-252

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Transistor original de la Manche de P/transistor à haute tension 50P06D TO-252 DESCRIPTION de transistor de la Manche de P Le fossé avancé...
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Transistor de niveau de logique de paquet de TO-220-3L/transistor à haute tension 100V

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Transistor de niveau de logique de paquet de TO-220-3L/transistor à haute tension 100V Applications de niveau de transistor de logique Com...
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Transistor de niveau de la logique HXY4616, transistor MOSFET complémentaire à haute tension du transistor 30V

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La description complémentaire de transistor MOSFET de HXY4616 30V Le HXY4616 emploie la technologie avancée de fossé au RDS provideexcellent (DESSUS) et à la basse charge de porte. Idéal de configurationis de transistor MOSFET de canal de Thiscomplementary N et de P pour de basses applications d'inverseur de tension d'entrée. Caractéristiques électriques de N-canal (T=25°C sauf indication...
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Transistor de puissance à haute tension de fréquence ultra-haute du transistor de transistor MOSFET d'OEM/AP10H03DF

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Transistor de puissance à haute tension de fréquence ultra-haute du transistor de transistor MOSFET d'OEM/AP10H03DF Description à haute tension...
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Transistor à forte intensité d'AP30N10D, transistor à effet de champ de 30A 100V TO-252

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Transistor à forte intensité d'AP30N10D, transistor à effet de champ de 30A 100V TO-252 Types à forte intensité de transistor Les transist...
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