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Le Fe a enduit la gaufrette LiTaO3 noire jaune pour le stockage de l'information olographe à haute densité

China Le Fe a enduit la gaufrette LiTaO3 noire jaune pour le stockage de l'information olographe à haute densité on sale
Le Fe a enduit la gaufrette LiTaO3 noire jaune pour le tantalate olographe à haute densité de lithium de stockage de l'information (LiTa03) est très utilisé dans les domaines optiques pour la modulation optique, l'enregistrement optique, et la conversion de fréquence en raison de ses effets électrooptiques, acousto-optiques, piézoélectriques, thermique-optiques et photorefractive. Avec la...
Hangzhou Freqcontrol Electronic Technology Ltd.
Fournisseur Vérifié
Chambre 1106, CIBC, n°198 rue Wuxing, Hangzhou, République populaire de Chine

Le Fe a enduit la gaufrette de tantalate de lithium pour le stockage de l'information olographe à haute densité

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Le Fe a enduit la gaufrette noire jaune de tantalate de lithium pour le stockage de l'information olographe à haute densité Le tantalate de lithium (LiTa03) est très utilisé dans les domaines optiques pour la modulation optique, l'enregistrement optique, et la conversion de fréquence en raison de ses effets électrooptiques, acousto-optiques, piézoélectriques, thermique-optiques et photorefractive....
Hangzhou Freqcontrol Electronic Technology Ltd.
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Chambre 1106, CIBC, n°198 rue Wuxing, Hangzhou, République populaire de Chine

Le Fe a enduit la gaufrette de tantalate de lithium pour le stockage de l'information olographe à haute densité

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Le Fe a enduit la gaufrette noire jaune de tantalate de lithium pour le stockage de l'information olographe à haute densité Le tantalate de lithi...
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Stockage de données MT29AZ5A3CHHTB-18AIT.109 de mémoire instantanée de micron

China Stockage de données MT29AZ5A3CHHTB-18AIT.109 de mémoire instantanée de micron on sale
Stockage de données de mémoire instantanée du micron MT29AZ5A3CHHTB-18AIT.109...
Sunbeam Electronics (Hong Kong) Limited
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Internatinal Logistics Center A-702, No. 1 South China Road, ShenZhen, China

Stockage de données SAMSUNG SMD de la mémoire KMFN60012B-B214 instantanée

China Stockage de données SAMSUNG SMD de la mémoire KMFN60012B-B214 instantanée on sale
Stockage de données SMD de mémoire instantanée de KMFN60012B-B214 SAMSUNG...
Sunbeam Electronics (Hong Kong) Limited
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Internatinal Logistics Center A-702, No. 1 South China Road, ShenZhen, China

OEM à canal double de personnalisation de soutien du serveur NF5466M6 4U de stockage de données d'Inspur d'affaires

China OEM à canal double de personnalisation de soutien du serveur NF5466M6 4U de stockage de données d'Inspur d'affaires on sale
Serveur NF5466M6 4U de stockage de données d'Inspur d'affaires à canal double le serveur d'optimisation de stockage du double chemin 2U adopte une...
Beijing Guangtian Runze Technology Co., Ltd.
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Pièce 405, bâtiment 14, yard 38, région du sud du Groenland Zhongyang svp, Pékin Chine.

Disque mémoire flash de grande capacité à transmission rapide Disque de stockage de données portable USB

China Disque mémoire flash de grande capacité à transmission rapide Disque de stockage de données portable USB on sale
Disque mémoire flash portable haute capacité transmission rapide et polyvalence et est très pratique de stockage de données dispositif Le disque f...
China Chips Star Semiconductor Co., Ltd.
Fournisseur Vérifié
Chambre 401-404, unité 1, bâtiment B, bâtiment 8, parc industriel Huaqiang Creative, communauté Biyan, rue Guangming, district Guangming.

Stockage de données MT29AZ5A3CHHTB-18AIT.109 de mémoire instantanée de micron

China Stockage de données MT29AZ5A3CHHTB-18AIT.109 de mémoire instantanée de micron on sale
Stockage de données de mémoire instantanée du micron MT29AZ5A3CHHTB-18AIT.109...
Sunbeam Electronics (Hong Kong) Limited
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Stockage de données SAMSUNG SMD de la mémoire KMFN60012B-B214 instantanée

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Stockage de données SMD de mémoire instantanée de KMFN60012B-B214 SAMSUNG...
Sunbeam Electronics (Hong Kong) Limited
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Voltage 1,7 V - 2 V Mémoire de circuit intégré 2 Gb pour un stockage efficace des données

China Voltage 1,7 V - 2 V Mémoire de circuit intégré 2 Gb pour un stockage efficace des données on sale
Description du produit:Les dispositifs de stockage de circuits intégrés sont spécialement conçus pour des applications de haute performance et fourni...
Shenzhen Xinyuanpeng Technology Co., Ltd.
4E, no. 3, route de Shenfeng, la Communauté de Liuyue, rue de Henggang, secteur de Longgang, Shenzhen
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