insulated gate bipolar transistor

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General Electric DS200IIBDG1AEA DS200IIBDG1A GE isolé déclenchent le panneau bipolaire de transistor

Produit : General Electric DS200IIBDG1AEA DS200IIBDG1A GE a isolé le panneau bipolaire de transistor de porte GE a isolé le panneau bipolaire du tran...

Joyoung International Trading Co.,Ltd

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L'appartement 917A 9/F, une nouvelle tour, la place du Mandarin, le musée des sciences RD Tsim SHA TSUI, Hong Kong.

IKW40N65H5 a isolé les transistors bipolaires 650V 74A 250W du transistor IGBT de porte

IKW40N65H5 IKW25N120T2 IHW20N120R5 IKW50N60H3 a isolé le transistor bipolaire de porte Applications •Solarconverters •Uninterruptiblepowersuppli...

Shenzhen Retechip Electronics Co., Ltd

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Salle L, 23ème étage, bâtiment B, Duhui 100, Zhonghang Rd, secteur de Futian, ville de Shenzhen, Guangdong

KUP40H12R4-7M Ensemble de module de transistor bipolaire à porte isolée pour la gestion de l'énergie

KUP40H12R4-7M Assemblage de transistor bipolaire à porte isolée La solution ultime pour la gestion de l'énergie Description du produit: Le module de...

Krunter Future Tech (Dongguan) Co., Ltd.

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RM 708, bâtiment A, n° 5, rue Keji n° 2, lac Songshan, Dongguan, République populaire de Chine

IKW40N120T2 a isolé le transistor bipolaire IGBT 40A 1200V 480W de porte pour des convertisseurs

IKW40N120T2 IKW40N120CS6XKSA1 IKW50N65H5 IKA10N65ET6 a isolé le transistor bipolaire de porte Applications Convertisseurs de fréquence Alimentat...

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Transistor bipolaire isolé FGH40N60SFD de porte

FGH40N60SFD FGH60N60SFDTU FGH40N120ANTU FGH40N65UFDTU a isolé le transistor bipolaire de porte Applications • Chargeurs des véhicules à moteur, co...

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STGW80H65DFB a isolé le transistor bipolaire 650V 80A 469W du transistor IGBT de porte

STGW80H65DFB a isolé les transistors bipolaires du transistor 650V 80A 469W IGBT de porte Applications • Inverseurs photovoltaïques • Convertisse...

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La Manche bipolaire isolée par module du silicium N de transistor de porte du thyristor GT20J101

GT20J101 TOSHIBA a isolé la Manche bipolaire IGBT du silicium N de transistor de porte Applications de changement de puissance élevée • La 3...

DELI ELECTRONICS TECHNOLOGY CO.,LTD

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FORTUNE du RM 311 3/F LINZHAN ÉTABLISSANT LE SECTEUR SHENZHEN, CHINE de la ROUTE LIUYUE LONGGANG de la RUE SHENFENG de No.1 SHENHUA

La Manche ultra-rapide du transistor N d'IGBT, transistor bipolaire isolé de porte avec construit dans la diode

N-canal ultra-rapide de transistor de G40N60UFD IGBT avec construit dans la diode 600V 40A 160W, TO-3P Descriptions : La série de l'UFD de Fai...

Shenzhen ATFU Electronics Technology ltd

Pièce 1120, plancher 11rd, nouveau bâtiment de l'Asie Guoli, secteur de Futian, ville de Shenzhen, province du Guangdong Chine, code postal : 518031

Le transistor de transistor MOSFET de puissance de MGW12N120D a isolé le transistor bipolaire de porte avec la diode antiparallèle

Transistor bipolaire isolé de porte avec la diode antiparallèlePorte de silicium d'Amélioration-mode de N-canal IGBT ET DIODE DANS TO-247 12 A @ 90...

ChongMing Group (HK) Int'l Co., Ltd

Salle 1204, DingCheng International Building, 518028 Futian District, SHENZHEN, CN