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1 - 10 Résultats pour nand flash memory de 10003 produits
CYEL16B256-133SXE 256Mbit 133 MHz Tolérance au rayonnement QSPI NOR Puce IC de mémoire flash pour NewSpace
CYEL16B256-133SXE Mémoire IC Puce 256Mbit QSPI ou mémoire flash pour NewSpace Intéressé par les applications NewSpace, résistant aux rayonnements, h...
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.
Fournisseur Vérifié
1239 nouvelle Asie Guoli Building Zhenzhong Road. , Secteur Shenzhen Chine de Futian
CYEL17B512-133AZM 512 Mbit Tolérance aux rayonnements NOR Puce de mémoire flash avec interface QSPI TQFP100
Les données de l'échantillon doivent être conservées dans une zone de stockage. Puce de mémoire flash TQFP100 tolérante aux rayonnements 512 Mbit Vu...
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.
Fournisseur Vérifié
1239 nouvelle Asie Guoli Building Zhenzhong Road. , Secteur Shenzhen Chine de Futian
IS21ES08G-JCLI 8gb Nand Flash Memory Chip 3.3V 200Mhz
EMMC NAND Flash Memory Data Storage de l'eMMC 8GB 3.3V 200Mhz d'IS21ES08G-JCLI CARACTÉRISTIQUES • Mémoire instantanée emballée de non-et avec...
Walton Electronics Co., Ltd.
Fournisseur Vérifié
5C, D de construction, secteur de la GALAXIE WORLD.Longhua, Shenzhen.CN
Contrôleur multi de carte de médias de POIDS du micron MTFC4GACAJCN-1M d'IC de puce de mémoire instantanée de non-et
Micron instantané d'IC de puce de contrôleur de MultiMediaCard (MMC) de POIDS de MTFC4GACAJCN-1M et de mémoire instantanée de non-et DESCRIPTIONS GÉNÉ...
Shenzhen ATFU Electronics Technology ltd
Pièce 1120, plancher 11rd, nouveau bâtiment de l'Asie Guoli, secteur de Futian, ville de Shenzhen, province du Guangdong Chine, code postal : 518031
IS21ES08G-JCLI 8gb Nand Flash Memory Chip 3.3V 200Mhz
EMMC NAND Flash Memory Data Storage de l'eMMC 8GB 3.3V 200Mhz d'IS21ES08G-JCLI CARACTÉRISTIQUES • Mémoire instantanée emballée de non-et avec...
Walton Electronics Co., Ltd.
5C, D de construction, secteur de la GALAXIE WORLD.Longhua, Shenzhen.CN
8 mémoire instantanée de non-et des circuits intégrés ×8 de CCE de bit du gigaoctet 1 d'interface électronique d'entrée-sortie
8 gigaoctets, 1 CCE de bit, ×8 entrée-sortie, 3 V VCC, mémoire instantanée de non-et pour incorporé Description générale Le non-et de Cypress S3...
Shenzhen Hongxinwei Technology Co., Ltd
3418, Duhuixuan, avenue de Shennan, secteur de Futian, Shenzhen, province du Guangdong, Chine
K9K8G08U0B-PCB0 Puce IC de mémoire flash Nand 1G X 8 / 2G X 8 bits
Array...
STJK(HK) ELECTRONICS CO.,LIMITED
B5 plat 1/F., Manning Ind. Bâtiment, 116-118 comment Ming Street, pinces de Kwun, Kowloon, Hong Kong
NAND256W3A2BN6E STMicroelectronics 256 Mbit NAND Flash Memory
Circuits intégrés électroniques de STMicroelectronics de MÉMOIRE INSTANTANÉE de non-et de NAND256W3A2BN6E. Style d'installation : SMD/SMTPaquet/boîte...
Shenzhen Hongxinwei Technology Co., Ltd
3418, Duhuixuan, avenue de Shennan, secteur de Futian, Shenzhen, province du Guangdong, Chine
K9K8G08U0M-PCB0 Puce IC programmable TSOP48 NAND Flash Memory IC
Description du produit: CI de mémoire flash NAND K9K8G08U0M-PCB0 TSOP48 La puce IC programmable est un type de composants électroniques à circuit...
STJK(HK) ELECTRONICS CO.,LIMITED
B5 plat 1/F., Manning Ind. Bâtiment, 116-118 comment Ming Street, pinces de Kwun, Kowloon, Hong Kong
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