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TC58NYG0S3HBAI6 Toshiba Nand Flash parallèle 1.8V 1G a mordu 128M x 8 67 Pin VFBGA
TC58NYG0S3HBAI6 Toshiba NAND Flash Parallel 1.8V 67-Pin VFBGA de 1G-bit 128M x 8 Spécifications techniques de produit UE RoHS Conforme ECCN (US) 3A991.b.1.a Statut de partie Actif Des véhicules à moteur Inconnu PPAP Inconnu Type de cellules Non-et Chip Density (peu) 1G Architecture Sectored Bloc de botte Non Organisation de bloc Symétrique Largeur de bus d'adresses (peu) 28 Taille de secteur...
Sunbeam Electronics (Hong Kong) Limited
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Centre A-702, route de sud de la Chine de no. 1, Shenzhen, Chine de logistique internationale
TC58NYG2S0HBAI4 Puce de mémoire IC 4Gbit NAND Flash Mémoire IC TFBGA63
TC58NYG2S0HBAI4 Puce de mémoire IC 4Gbit NAND Flash Memory IC TFBGA63 Les résultats de l'analyse de l'utilisation du produit TC58NYG2S0HBAI Le TC58...
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.
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1239 nouvelle Asie Guoli Building Zhenzhong Road. , Secteur Shenzhen Chine de Futian
Puce MT29F2G08ABAEAWPIT de NAND Memory Programmable IC : ÉCLAIR 2Gbit 48-TSOP parallèle d'E
MT29F2G08ABAEAWPIT : Mémoire non-volatile programmable du parallèle 48-TSOP d'IC Chip NAND Memory IC 2Gbit d'INSTANTANÉ d'E DESCRIPTION DE PRODUIT...
STJK(HK) ELECTRONICS CO.,LIMITED
B5 plat 1/F., Manning Ind. Bâtiment, 116-118 comment Ming Street, pinces de Kwun, Kowloon, Hong Kong
K9K8G08U0E-SCB0 SLC NAND Mémoire Flash IC Parallèle 3.3V 8G-Bit 1G X 8 TSOP-I
Description du produit: K9K8G08U0E-SCB0 · Description : · SLC NAND Flash Parallèle 3,3 V 8G-bit 1G x 8 TSOP-I · Programmable IC Chip est un compos...
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K9K8G08U0M-PCB0 Puce IC programmable TSOP48 NAND Flash Memory IC
Description du produit: CI de mémoire flash NAND K9K8G08U0M-PCB0 TSOP48 La puce IC programmable est un type de composants électroniques à circuit...
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K9K8G08U0D-SCB0 SLC NAND puces de mémoire Flash parallèle 3.3V 8G-BIT 1G X 8 25NS 48 broches TSOP-I
Description du produit: Le K9K8G08U0D-SCB0 de Samsung Electronics est slc nand flash parallèle 3.3v 8g-bit 1g x 8 25ns 48 broches tsop-i dans les p...
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TC58NYG0S3HBAI6 Toshiba Nand Flash parallèle 1.8V 1G a mordu 128M x 8 67 Pin VFBGA
TC58NYG0S3HBAI6 Toshiba NAND Flash Parallel 1.8V 67-Pin VFBGA de 1G-bit 128M x 8Spécifications techniques de produit UE RoHS Conforme...
Sunbeam Electronics (Hong Kong) Limited
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K9K8G08U0B-PCB0 Puce IC de mémoire flash Nand 1G X 8 / 2G X 8 bits
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