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Transistor libre de la puissance LDMOS du transistor TPS62141RGTR du PB NPN PNP
Transistor Texas Instruments /TI TPS62141RGTR de NPN PNP Vin (minute) (v) 3 Vin (v) (maximum) 17 Vout (min...
Yingxinyuan Int'l(Group) Ltd.
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7F, F de construction, parc scientifique de Longjing, route de 335 Bulong, la Communauté de mA Antang, rue de Bantian, secteur de Longgang, Shenzhen, Chine
Tension de saturation matérielle de collecteur de silicium de transistors de 2SD1899 NPN PNP basse
Silicium NPN PowerTransistor de transistors de 2SD1899 NPN PNP DESCRIPTION ·Basse tension de saturation de collecteur ·avalanche 100% ex...
DELI ELECTRONICS TECHNOLOGY CO.,LTD
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FORTUNE du RM 311 3/F LINZHAN ÉTABLISSANT LE SECTEUR SHENZHEN, CHINE de la ROUTE LIUYUE LONGGANG de la RUE SHENFENG de No.1 SHENHUA
Transistors obsolètes 30V 500mA 200MHz 625mW de BC213L-C NPN PNP par le support de trou
Transistor bipolaire PNP 30V 500mA 200MHz 625mW de transistors de BC213L-C NPN PNP par le trou Amplificateur d'usage universel de PNP...
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Groupement actuel bipolaire de la puissance 65W HFE des transistors 100V 6A de TIP42C NPN PNP
Transistor bipolaire PNP 100V 6A 65W de transistors de TIP42C NPN PNP (BJT) Caractéristiques Dispositifs complémentaires du ■ PNP-NPN Nouve...
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Transistors 60V 10A 50W de D45H8 NPN PNP par le trou à la haute performance 220AB
Transistor bipolaire PNP 60V 10A 50W de transistors de D45H8 NPN PNP (BJT) par le trou TO-220AB Transistors de puissance complémentaires Ca...
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IVROGNE 23 de bâti de surface des transistors 140MHz 625mW de FMMT734TA Darlington NPN PNP 3
Transistor bipolaire PNP - bâti SOT-23-3 de transistors de FMMT734TA NPN PNP (BJT) de surface de Darlington 100V 800mA 140MHz 625mW Caractérist...
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Transistors bipolaires TO-3P de NJW0281G 50W NPN PNP
Transistors bipolaires TO-3P NPN-PNP de puissance complémentaire de NJW0281G NJW0281G 250V 15A 150W hfe75-150 et NJW0302G 250V 15A 150W hfe75-150...
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