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Paquet FBGA-96 ROHS de K4B4G1646E-BYMA Samsung RDA SDRAM
LA RDA SDRAM K4B4G1646E-BYMA K4B4G1646E-BYMA Fabricant Samsung MFR.Part #K4B4G1646E-BYMA Pièce #C500275 de JLCPCB PackageFBGA-96...
ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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Pièce 2808-2809, Duhuixuan, no. 3018, avenue de Shennan, la Communauté de Huahang, rue du nord de Huaqiang, secteur de Futian, Shenzhen
1-1473005-1 Connecteurs AMP TE Connectivity Prise SODIMM DDR SDRAM
1-1473005-1 Connecteurs AMP TE Connectivity 1473005 Prise SDRAM DDR SODIMM 200 positions Des détails : Support SODIMM DDR SDRAM à 200 positions...
Angel Technology Electronics Co
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FL16 Construction côtière bloc est district de Nanshan Shenzhen Chine 518000
Puce MT29PZZZ8D5WKFMW-18W.6D d'IC de mémoire de 1GB RDA SDRAM
MT29PZZZ8D5WKFMW-18W.6D - 1 Go de mémoire SDR Trouvez des informations ici dans stock.xlsx Introduction: Le MT29PZZZ8D5WKFMW-18W.6D est un module SD...
rongxing international trade co.,limited
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Pièce 2409, 24/F, bloc A, Hoover construisant 38 Kwai Cheong Road, Kwai Chung, Hong Kong. LA CHINE
MT29RZ4B2DZZHGSK-18W.80 - 512MB RDA SDRAM
MT29RZ4B2DZZHGSK-18W.80 - 512 Mo de mémoire SDR Trouvez des informations ici dans stock.xlsx Introduction: Le MT29RZ4B2DZZHGSK-18W.80 est un module...
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Puce IC mémoire SDRAM DDR 256 Mo MT29RZ2C2DZZMGMF-18
MT29RZ2C2DZZMGMF-18 - 256 Mo de mémoire SDR Trouvez des informations ici dans stock.xlsx Introduction: Le MT29RZ2C2DZZMGMF-18 est un module DDR SDRA...
rongxing international trade co.,limited
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MT29RZ1CVCZZHGTN-18 W.8 - SDRAM DDR 128 Mo
MT29RZ1CVCZZHGTN-18 W.8 - 128MB RDA SDRAM Introduction : Le MT29RZ1CVCZZHGTN-18 W.8 est un module de 128MB RDA SDRAM conçu pour l'usage dans...
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Pièce 2409, 24/F, bloc A, Hoover construisant 38 Kwai Cheong Road, Kwai Chung, Hong Kong. LA CHINE
Puce MT29RZ4B4DZZNGPL-18WE.4 d'IC de mémoire de 512MB RDA SDRAM
MT29RZ4B4DZZNGPL-18WE.4 - 512 Mo de mémoire SDR Trouvez des informations ici dans stock.xlsx Introduction: Le MT29RZ4B4DZZNGPL-18WE.4 est un module...
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M13S64164A-5TG M13S64164A-5T M13S64164A(2C) Circuit intégré de mémoire DRAM DDR SDRAM ESMT
M13S64164A(2C) ESMT ddR mémoire SDRAM IC 4Mbx16 DDR SDRAM 2,5 V 4K Les émissions d'oxygène de dioxyde de carbone dans l'atmosphère doivent être calcul...
Angel Technology Electronics Co
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FL16 Construction côtière bloc est district de Nanshan Shenzhen Chine 518000
M13S64164A-5TG M13S64164A-5T 64 Mo DRAM DDR SDRAM IC
M13S64164A(2C) 64Mb 4Mbx16 DDR SDRAM 2.5V 4K 166/200/250MHz 66TSOPII M13S64164A-5TG M13S64164A-5T 64MB DRAM DDR SDRAM Applicat...
Angel Technology Electronics Co
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FL16 Construction côtière bloc est district de Nanshan Shenzhen Chine 518000
128 Mo DRAM DDR SDRAM M13S128168A-5TG M13S128168A-6T M13S128168A-4T
M13S128168A (2S) 8Mbx16 2.5V 4K 160/200/250MHz 66TSOPII/ 60BGA DDR SDRAM IC 128MB DRAM DDR SDRAM M13S128168A-5TG M13S128168A-6T M13S128168A-4T  ...
Angel Technology Electronics Co
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