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Transistors bipolaires 18.8dB des transistors rf d'ASI MRF9045LR1
Original bipolaire des transistors SI de MRF9045LR1TRANSISTORS rf en stock L'ASI MRF9045LR1 est une haute tension, or-métallisée, semiconducteur...
Walton Electronics Co., Ltd.
Fournisseur Vérifié
5C, D de construction, secteur de la GALAXIE WORLD.Longhua, Shenzhen.CN
Transistor bipolaire de JAN2N2907A PNP
Transistors bipolaires PNP de JAN2N2907A BJTs simples par l'original de trou Attribut de produit Valeur d'attribut...
Walton Electronics Co., Ltd.
5C, D de construction, secteur de la GALAXIE WORLD.Longhua, Shenzhen.CN
PNP BCY70 BCY71 par la puce bipolaire 350mW d'IC de transistor de trou
BCY71 par les transistors bipolaires de trou - SIGNAL BIPOLAIRE de transport de BJT PETIT DESCRIPTIONLes BCY70, les BCY71 et les BCY72 sont des t...
Walton Electronics Co., Ltd.
5C, D de construction, secteur de la GALAXIE WORLD.Longhua, Shenzhen.CN
2N3792 plateau bipolaire de Pin TO-3 des transistors BJT 80V 10A 5000mW 3
2N3792 puissance bipolaire BJT des transistors BJT Plateau TO-3 du généraliste BJT PNP 80V 10A 5000mW 3-Pin (2+Tab) de transport...
Walton Electronics Co., Ltd.
5C, D de construction, secteur de la GALAXIE WORLD.Longhua, Shenzhen.CN
Les diodes de ZXTP19100CGTA PNP ont incorporé les transistors bipolaires pour la commande de moteur
Les diodes de ZXTP19100CGTA ont incorporé les transistors bipolaires 1. caractéristiquesBVCEO > -100VBVECO > -7VCourant continu d'IC = de -2AHi...
Shenzhen Hongxinwei Technology Co., Ltd
3418, Duhuixuan, avenue de Shennan, secteur de Futian, Shenzhen, province du Guangdong, Chine
MPS6560 semi-conducteurs discrets bipolaires 625mW des transistors BJT
MPS6560 original discret bipolaire de semi-conducteurs des transistors BJT Attribut de produit Valeur d'attribut...
Walton Electronics Co., Ltd.
5C, D de construction, secteur de la GALAXIE WORLD.Longhua, Shenzhen.CN
La Manche ultra-rapide du transistor N d'IGBT, transistor bipolaire isolé de porte avec construit dans la diode
N-canal ultra-rapide de transistor de G40N60UFD IGBT avec construit dans la diode 600V 40A 160W, TO-3P Descriptions : La série de l'UFD de Fai...
Shenzhen ATFU Electronics Technology ltd
Pièce 1120, plancher 11rd, nouveau bâtiment de l'Asie Guoli, secteur de Futian, ville de Shenzhen, province du Guangdong Chine, code postal : 518031
Transistors bipolaires 18.8dB des transistors rf d'ASI MRF9045LR1
Original bipolaire des transistors SI de MRF9045LR1TRANSISTORS rf en stock L'ASI MRF9045LR1 est une haute tension, or-métallisée, semiconducteur...
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