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pnp darlington transistor

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MJD127G 5A 100V PNP Darlington Transistor TO-252 (DPAK) 1V VCE ((sat) @ 3A, hFE 1000 min de -55°C à +150°C AEC-Q101

China MJD127G 5A 100V PNP Darlington Transistor TO-252 (DPAK) 1V VCE ((sat) @ 3A, hFE 1000 min de -55°C à +150°C AEC-Q101 on sale
MJD127G etnbsp; Caractéristiques etbull; Plomb formé pour les applications de montage en surface dans les pochettes en plastique etbull; Remplacements...
TOP Electronic Industry Co., Ltd.
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RM1441, GUO LI Bldg, ZhongHang RD., Futian Dist. Shen Zhen, Chine
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