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pnp smd transistor

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Transistor MMBT3906 SOT-23 de bâti de surface du transistor PNP du silicium SMD

China Transistor MMBT3906 SOT-23 de bâti de surface du transistor PNP du silicium SMD on sale
Transistor MMBT3906 SOT-23 de bâti de surface du transistor PNP du silicium SMD Transistor extérieur de bâti de MMBT3906 SOT-23 PNP MMBT3906 SOT-23 Datasheet.pdf CARACTÉRISTIQUES Type complémentaire le transistor de NPN MMBT3904 est recommandé Planaires épitaxiaux meurent construction INSCRIPTION : 2A ESTIMATIONS MAXIMUM (TA=25℃ sauf indication contraire) Paramètre Symbole Valeur Unités Tension...
Guangdong Huixin Electronics Technology Co., Ltd.
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Parc de Cyber de Tianan, route de No.1 Huangjin, secteur de Nancheng, ville de Dongguan, province du Guangdong, Chine

Transistor planaire épitaxial de silicium du transistor PNP de 0h5 du matin de S8550 SOT-89

China Transistor planaire épitaxial de silicium du transistor PNP de 0h5 du matin de S8550 SOT-89 on sale
Transistor planaire épitaxial de silicium de S8550 SOT-89 0.5A PNP Transistor planaire épitaxial de silicium du transistor PNP de 0H5...
Guangdong Huixin Electronics Technology Co., Ltd.
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3 planaires épitaxiaux de l'IVROGNE 523 du transistor MMBT3904T de Pin SMD meurent construction

China 3 planaires épitaxiaux de l'IVROGNE 523 du transistor MMBT3904T de Pin SMD meurent construction on sale
Transistor de Pin SMD de MMBT3904T SOT-523 3 3 planaires épitaxiaux de l'IVROGNE 523 du transistor MMBT3904T de Pin SMD meurent construction MMBT3904T SOT-523 Datasheet.pdf CARACTÉRISTIQUES Le type complémentaire le transistor MMBT3906 de PNP est recommandé Planaires épitaxiaux meurent construction ESTIMATIONS MAXIMUM (TA=25℃ sauf indication contraire) Paramètre Symbole Valeur Unités Tension de...
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