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Semi-conducteurs discrets de transistors de BC846B 1B SMD SOT23 NPN PNP
Semi-conducteurs discrets d'usage universel du transistor SMD SOT23 de BC846B 1B NPN Caractéristiques• À faible intensité (maximum 100 m...
DELI ELECTRONICS TECHNOLOGY CO.,LTD
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FORTUNE du RM 311 3/F LINZHAN ÉTABLISSANT LE SECTEUR SHENZHEN, CHINE de la ROUTE LIUYUE LONGGANG de la RUE SHENFENG de No.1 SHENHUA
transistor Texas Instruments LM5109BQNGTTQ1 de 15ns 108V NPN PNP
Transistor Texas Instruments /TI LM5109BQNGTTQ1 de NPN PNP Module d'ECAD Symbole, empreinte de pas et modèle 3D de carte PCB...
Yingxinyuan Int'l(Group) Ltd.
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7F, F de construction, parc scientifique de Longjing, route de 335 Bulong, la Communauté de mA Antang, rue de Bantian, secteur de Longgang, Shenzhen, Chine
MMDT3946DW CONJUGUENT le transistor SOT-363 de NPN et de PNP pour l'amplification de puissance faible
MMDT3946DW CONJUGUENT LE TRANSISTOR (NPN+PNP) SOT-363 MMDT3946DW CONJUGUENT L'IVROGNE 363 de transistor de NPN et de PNP pour l'amplification de puissance faible CARACTÉRISTIQUES Paires complémentaires Un 3904-Type NPN Un 3906-Type PNP Planaires épitaxiaux meurent construction Idéal pour l'amplification et la commutation de puissance faible ESTIMATIONS MAXIMUM (TA=25℃ sauf indication contraire)...
Guangdong Huixin Electronics Technology Co., Ltd.
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Parc de Cyber de Tianan, route de No.1 Huangjin, secteur de Nancheng, ville de Dongguan, province du Guangdong, Chine
Transistors obsolètes 30V 500mA 200MHz 625mW de BC213L-C NPN PNP par le support de trou
Transistor bipolaire PNP 30V 500mA 200MHz 625mW de transistors de BC213L-C NPN PNP par le trou Amplificateur d'usage universel de PNP...
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Groupement actuel bipolaire de la puissance 65W HFE des transistors 100V 6A de TIP42C NPN PNP
Transistor bipolaire PNP 100V 6A 65W de transistors de TIP42C NPN PNP (BJT) Caractéristiques Dispositifs complémentaires du ■ PNP-NPN Nouve...
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Transistors 60V 10A 50W de D45H8 NPN PNP par le trou à la haute performance 220AB
Transistor bipolaire PNP 60V 10A 50W de transistors de D45H8 NPN PNP (BJT) par le trou TO-220AB Transistors de puissance complémentaires Ca...
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IVROGNE 23 de bâti de surface des transistors 140MHz 625mW de FMMT734TA Darlington NPN PNP 3
Transistor bipolaire PNP - bâti SOT-23-3 de transistors de FMMT734TA NPN PNP (BJT) de surface de Darlington 100V 800mA 140MHz 625mW Caractérist...
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Fréquence de transition de transistors de 2SC4793 NPN PNP haute par le trou 100 mégahertz
Transistors de puissance du silicium NPN de transistors de 2SC4793 NPN PNP DESCRIPTION ·Avec le paquet de TO-220F ·Complément pour...
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transistor Texas Instruments LM5109BQNGTTQ1 de 15ns 108V NPN PNP
Transistor Texas Instruments /TI LM5109BQNGTTQ1 de NPN PNP Module d'ECAD Symbole, empreinte de pas et modèle 3D de carte PCB...
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