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Puce de mémoire instantanée MT29F2G08ABAGAWP-IT : G - service informatique de 8GB NAND Flash Memory With : Technologie de G
MT29F2G08ABAGAWP-IT : Puce de mémoire instantanée de G Spécifications produit : - Capacité de stockage : 2 GIGAOCTETS - Type de mémo...
Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.
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1702, bâtiment international de Dingcheng, route de Zhonghang, secteur de Futian, Shenzhen
Paquet SOIC-8 instantané de SPI de quadruple de MT25QU512ABB8ESF-0 AAT Flash Memory Ic Chip 512Mb
Liste de produit : MT25QU512ABB8ESF-0 AAT Flash Memory Chips Paramètres de produit : Type de mémoire : Instantané Capacité de stockage : 512Mbit Largeur d'autobus : à 8 bits Tension - approvisionnement : 1,65 V | 1,95 V Température de fonctionnement : -40°C | 85°C Paquet/cas : 8-VDFN a exposé la protection Statut de produit Actif Type de mémoire Non-volatile Format de mémoire ÉCLAIR Technologie...
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Puces de mémoire 4Mb instantanée performantes de puces de mémoire instantanée de MX25V4006EZNI-13G
Puces de mémoire instantanée de Chips High-Performance 4Mb de mémoire instantanée de MX25V4006EZNI-13G Puce de mémoire instantanée de M...
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Puces de mémoire instantanée MX25R6435FM2JL0 - 8GB 3V SPI NI mémoire instantanée
Puce de mémoire MX25R6435FM2JL0 instantanée Cette puce de mémoire instantanée de Macronix est une mémoire 64Mb instantanée périodique avec l'...
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Données instantanées communes de l'interface de paquet des puces de mémoire S25FL256SAGNFI001 instantanée 8-WDFN (TPI)
Données instantanées communes de l'interface de paquet des puces de mémoire S25FL256SAGNFI001 instantanée 8-WDFN (TPI) Type de mémoire Non-volatile Format de mémoire ÉCLAIR Technologie ÉCLAIR - NI Capacité de la mémoire 256Mbit Organisation de mémoire 32M x 8 Interface de mémoire SPI - Entrée-sortie de quadruple Fréquence du signal d'horloge 133 mégahertz Écrivez la durée de cycle - Word, page -...
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Mi-bande MIRRORBIT™ 3.0V parallèle instantané de la mi-bande 256 du paquet 128 des puces de mémoire S29GL512S11TFI020 instantanée 56-TFSOP
Puces de mémoire S29GL512S11TFI020 instantanée 56-TFSOP mi-bande MIRRORBIT™ 3.0V parallèle instantané de la mi-bande 256 du paquet 128 Type de mémoire Non-volatile Format de mémoire ÉCLAIR Technologie ÉCLAIR - NI Capacité de la mémoire 512Mbit Organisation de mémoire 32M x 16 Interface de mémoire Parallèle Écrivez la durée de cycle - Word, page 60ns Temps d'accès 110 NS Tension - approvisionnement...
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La mémoire S29GL256P90TFIR10 instantanée ébrèche 56-TFSOP la technologie transformatrice instantanée de la page 90nm MirrorBit de Gbit 128Mbit 3V du paquet 1
Puces de mémoire S29GL256P90TFIR10 instantanée 56-TFSOP technologie transformatrice instantanée de la page 90nm MirrorBit de Gbit 128Mbit 3V du paquet 1 Type de mémoire Non-volatile Format de mémoire ÉCLAIR Technologie ÉCLAIR - NI Capacité de la mémoire 256Mbit Organisation de mémoire 32M x 8 Interface de mémoire Parallèle Écrivez la durée de cycle - Word, page 90ns Temps d'accès 90 NS Tension -...
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Disque transistorisé m2 SATA 512gb 3D NAND Flash Memory de DevSleep K7N8 2280 Ngff
Commande à semi-conducteur interne de haute performance de disque transistorisé 2280 Ngff de Faspeed K7N8 512GB M.2 SATA pour l'ordinateur portable de...
HONG KONG HUATOOP TECHNOLOGY LIMITED
Room 603, Nanyuan commercial building, Longhua District, Shenzhen,China
Mémoire instantanée IC EMMC de MTFC64GAPALBH-AIT
EMMC des circuits intégrés MTFC64GAPALBH-AIT de mémoire Description de produit : La mémoire instantanée de non-et de micron est extrêmement dense et...
Shenzhen Zhongkaixin Micro Electronics Co., Ltd.
Pièce 406-408, bâtiment de Shenfang C, rue de Huaqiangbei, secteur de Futian, Shenzhen, Chine
Mémoire INSTANTANÉE IC 64Mb SPI 100MHz 16-SOIC d'AT25DF641-S3H-T
Mémoire INSTANTANÉE IC 64Mb (256 pages d'octets X 32K) SPI 100MHz 16-SOIC d'AT25DF641-S3H-T 64-Megabit mémoire instantanée périodique minimum de...
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
609 no. 4018, route baoan, rue de Xixiang, Baoan District, Shenzhen, Guangdong
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