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Transistor de puissance de transistor MOSFET de 50P03NF TO-252 pour la gestion de puissance de commutateur de charge
Transistor de puissance de transistor MOSFET de 50P03NF TO-252 pour la gestion de puissance de commutateur de charge DESCRIPTION de transistor d...
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
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Pièce 2013, bâtiment international de DingCheng, ZhenHua Road, secteur de FuTian, Shenzhen, province du Guangdong
Transistor de puissance solaire de transistor MOSFET des inverseurs 6A 20V avec la vitesse de commutation élevée
Transistor de puissance solaire de transistor MOSFET des inverseurs 6A 20V avec la vitesse de commutation élevée Description de transistor de p...
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
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Pièce 2013, bâtiment international de DingCheng, ZhenHua Road, secteur de FuTian, Shenzhen, province du Guangdong
Paquet de bâti de surface de commutateur de transistor de la Manche du mode N d'amélioration/transistor MOSFET de logique
Paquet de bâti de surface de commutateur de transistor de la Manche du mode N d'amélioration/transistor MOSFET de logique Description de transistor de...
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
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transistor de puissance de transistor MOSFET de 10A 100V AP10N10DY pour les alimentations d'énergie de changement
transistor de puissance de transistor MOSFET de 10A 100V AP10N10DY pour les alimentations d'énergie de changement Description de transistor de p...
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
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Transistor de puissance de transistor MOSFET de 50P03NF TO-252 pour la gestion de puissance de commutateur de charge
Le transistor de puissance de transistor MOSFET de 50P03NF TO-252 pour la DESCRIPTION de transistor de puissance de transistor MOSFET de gestion de puissance de commutateur de charge Le 50P03NF emploie la technologie avancée de fossé pour fournir excellent R DS (DESSUS), basses charge de porte et opération avec des tensions de porte en tant que bas comme 4.5V. Ce dispositif convient pour l'usag...
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
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Transistor de puissance solaire de transistor MOSFET des inverseurs 6A 20V avec la vitesse de commutation élevée
Transistor de puissance solaire de transistor MOSFET des inverseurs 6A 20V avec la vitesse de commutation élevée Description de transistor de p...
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Pièce 2013, bâtiment international de DingCheng, ZhenHua Road, secteur de FuTian, Shenzhen, province du Guangdong
Commutation de puissance moyenne de transistors de puissance de BD681 NPN Darlington
Commutation de puissance moyenne de transistors de puissance de BD681 NPN Darlington ■ SALESTYPES PRÉFÉRÉ PAR SGS-THOMSON ■ PNP CO...
Anterwell Technology Ltd.
Secteur de construction de B-9P/10N Duhui 100 Futian, Shenzhen, Chine
Paquet extérieur de bâti de commutateur de transistor de la Manche du mode N d'amélioration/transistor MOSFET de logique
La description extérieure de transistor de la Manche du paquet N de bâti de commutateur de transistor de la Manche du mode N d'amélioration/transistor MOSFET de logique Le 18N20X emploie la technologie plate avancée pour fournir à l'excellent RDS (dessus), à la basses charge de porte et opération des tensions de porte en tant que bas comme 2.5V. Ce dispositif convient pour l'usage comme pro...
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Pièce 2013, bâtiment international de DingCheng, ZhenHua Road, secteur de FuTian, Shenzhen, province du Guangdong
transistor de puissance de transistor MOSFET de 10A 100V AP10N10DY pour les alimentations d'énergie de changement
transistor de puissance de transistor MOSFET de 10A 100V AP10N10DY pour la description de changement de transistor de puissance de transistor MOSFET d'alimentations d'énergie : L'AP10N10D/Y emploie la technologie et la conception avancées de fossé pour fournir à l'excellent RDS (DESSUS) la basse charge de porte. Il peut être employé dans une grande variété d'applications. Le transistor de...
Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
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La GRANDE VITESSE de transistors de commutation du transistor NPN de transistor MOSFET de la puissance 2N2222A COMMUTE
Transistors de commutation de NPN 2N2222 ; 2N2222A CARACTÉRISTIQUES • À forte intensité (maximum 800 mA) • Basse tension (maximum 40 V)...
Anterwell Technology Ltd.
Secteur de construction de B-9P/10N Duhui 100 Futian, Shenzhen, Chine
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