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Transistor planaire épitaxial de silicium du transistor PNP de 0h5 du matin de S8550 SOT-89
Transistor planaire épitaxial de silicium de S8550 SOT-89 0.5A PNP Transistor planaire épitaxial de silicium du transistor PNP de 0H5...
Technologie Cie., Ltd de l'électronique de Guangdong Huixin.
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Parc de Cyber de Tianan, route de No.1 Huangjin, secteur de Nancheng, ville de Dongguan, province du Guangdong, Chine
Type extérieur transistor du transistor BC847B SOT-23 NPN du bâti SMD
Transistor extérieur de bâti de BC847B SOT-23 NPN Type extérieur transistor du transistor BC847B SOT-23 NPN du bâti SMD BC846-BC...
Technologie Cie., Ltd de l'électronique de Guangdong Huixin.
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Parc de Cyber de Tianan, route de No.1 Huangjin, secteur de Nancheng, ville de Dongguan, province du Guangdong, Chine
Guangdong Uchi Electronics Co.,Ltd
MOUVEMENTS de varistance de protection de surtension des HEL MYG du CNR EPCOS HARRY KVR de ZOV VDR Tension de varistance : 18~1800V Utili...
Guangdong Uchi Electronics Co.,Ltd
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Pièce 810, unité 2, bâtiment 5, centre commercial de Huixing, route No.1, Zhongshan Dong, ville Dongguan, GUANGDONG, de Dongsheng de Shilong NC 523326
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ISO9001.pdf IPD075N03LG est un transistor MOSFET à canal N. Voici les applications, les conclusions et les paramètres de ce transistor:Applications:Co...
HK LIANYIXIN INDUSTRIAL CO., LIMITED
2515 siècle huiduhuixuan, no. 3078, route moyenne de Shennan, rue de Huaqiangbei, secteur de Futian, Shenzhen, Chine
IPD082N10N3 TO-252 Ic Circuit intégré à N canaux Transistor Mosfet
ISO9001.pdf IPD082N10N3 est un transistor MOSFET à canal N. Voici ses applications, ses conclusions et ses paramètres:Applications:Utilisé comme int...
HK LIANYIXIN INDUSTRIAL CO., LIMITED
2515 siècle huiduhuixuan, no. 3078, route moyenne de Shennan, rue de Huaqiangbei, secteur de Futian, Shenzhen, Chine
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ISO9001.pdf Application :IPD80R1K4P7 est un transistor de transistor MOSFET de N-canal utilisé généralement dans les convertisseurs à haute efficacit...
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2515 siècle huiduhuixuan, no. 3078, route moyenne de Shennan, rue de Huaqiangbei, secteur de Futian, Shenzhen, Chine
Haute UL de transistor des pertes IGBT de commutation de la puissance IGBT de stabilité de C.C basse identifiée
PrimePACK™ 2 1200 V, 600 d'A double IGBT module du moitié-pont avec TRENCHSTOP™ IGBT4, émetteur a commandé 4 la diode, FF600R12IE4 Vous avez été...
Shenzhen Hongxinwei Technology Co., Ltd
3418, Duhuixuan, avenue de Shennan, secteur de Futian, Shenzhen, province du Guangdong, Chine
IPD50N04S4L-08 Original tout neuf d'IC de puce du circuit intégré TO-252 inutilisé
ISO9001.pdf Application :IPD50N04S4L-08 est un transistor de puissance de transistor MOSFET de N-canal utilisé généralement dans des circuits de ch...
HK LIANYIXIN INDUSTRIAL CO., LIMITED
2515 siècle huiduhuixuan, no. 3078, route moyenne de Shennan, rue de Huaqiangbei, secteur de Futian, Shenzhen, Chine
IPD90P04P4L-04 TO-252 IC Circuit intégré dans les conducteurs automobiles
ISO9001.pdf Applications:L'IPD90P04P4L-04 peut être utilisé dans les alimentations en mode commutation, les pilotes de moteur et autres circuits de co...
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2515 siècle huiduhuixuan, no. 3078, route moyenne de Shennan, rue de Huaqiangbei, secteur de Futian, Shenzhen, Chine
Original tout neuf d'IC de puce de circuit intégré d'IPD031N06L3G TO-252 inutilisé
ISO9001.pdf Application : IPD031N06L3G est un transistor à haute tension de transistor MOSFET très utilisé dans les alimentations d'énergie de change...
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