La puce de mémoire instantanée de FM24CL04B-GTR 4Kbit jeûnent éclair périodique à 2 fils de l'interface série FRAM
Description
Le FM24CL04B est une mémoire non volatile 4-Kbit utilisant un processus ferroélectrique avancé. Une mémoire à accès sélectif ou un F-RAM ferroélectrique est non-volatile et exécute lit et écrit semblable à RAM. Il fournit la conservation fiable de données pendant 151 années tout en éliminant les complexités, les frais généraux, et les problèmes au niveau système de fiabilité provoqués par EEPROM et d'autres mémoires non volatiles. À la différence d'EEPROM, le FM24CL04B exécute écrit des opérations à la vitesse d'autobus. Aucun écrivez les retards sont encourus. Des données sont écrites à la rangée de mémoire juste après que chaque octet est avec succès transféré au dispositif. Le prochain cycle d'autobus peut débuter sans besoin de vote de données. En outre, le produit offre la partie essentielle écrivent la résistance comparée à d'autres mémoires non volatiles. En outre, F-RAM montre la puissance faible beaucoup pendant écrit qu'EEPROM puisqu'écrivez les opérations n'exigent pas une tension d'alimentation électrique intérieurement élevée pour écrivent des circuits. Le FM24CL04B est capable de soutenir 1014 cycles lecture/écriture, ou écrivent 100 millions de fois davantage des cycles qu'EEPROM. Ces capacités font l'idéal de FM24CL04B pour des applications de mémoire non volatile, exigence fréquente ou rapide écrit. Les exemples s'étendent de l'enregistrement de données, d'où le nombre écrivent des cycles peut être critique, à exiger les contrôles industriels où les longs écrivent la période d'EEPROM peuvent causer la perte de données. La combinaison des caractéristiques permet une écriture plus fréquente de données avec moins de frais généraux pour le système. Le FM24CL04B fournit les indemnités substantielles aux utilisateurs (I2C) d'EEPROM périodique comme remplacement de réunion informelle de matériel. Les caractéristiques de dispositif sont garanties sur une température ambiante industrielle – de 40 C à +85 C.
Caractéristiques
mémoire à accès sélectif ferroélectrique du ■ 4-Kbit (F-RAM) logiquement
organisé en tant que 512 × 8
la Haut-résistance 100 trillion de ❐ (1014) indiqué/écrit
❐ conservation de 151 données d'an (voir la conservation et la résistance de données
à la page 10)
Le ❐ NoDelay™ écrit
Processus ferroélectrique de haut-fiabilité avancée de ❐
Interface série à 2 fils rapide de ■ (I2C)
❐ jusqu'à la fréquence 1-MHz
Remplacement direct de matériel de ❐ pour (I2C) EEPROM périodique
Le ❐ soutient des synchronisations de legs pour 100 kilohertz et 400 kilohertz
Consommation de puissance faible de ■
courant actif du A du ❐ 100 à 100 kilohertz
courant de réserve du A (type) du ❐ 3
Opération de tension de ■ : VDD = 2,7 V à 3,65 V
La température industrielle de ■ : – 40 C à +85 C
paquet de (SOIC) de circuit intégré d'ensemble de goupille du ■ 8 petit
Restriction de ■ des substances dangereuses (RoHS) conforme
Applications
Industriel, communications et mise en réseau
