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Technologie Ltd de l'électronique de Shenzhen ATFU

Ville:shenzhen

Province / État:guangdong

Pays / Région:china

Contact:MissMia

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880nM 2 transistor des GOUPILLES 3DU5C IGBT, phototransistor de silicium de NPN avec le métal encapsulé

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Numéro de type :3DU5C

Point d'origine :Usine originale

Quantité d'ordre minimum :10pcs

Conditions de paiement :T/T, Union，PAYPAL ouest

Capacité d'approvisionnement :100000pcs

Délai de livraison :1-3 jours

Détails d'emballage :Box

Séries :Phototransistor de silicium de 3DU5C NPN

Application :Récepteur et émetteur de signal

Paquet :Par des goupilles du trou 2

modèle :3DU5C

Tension locale (maximum) :10V

Longueur d'onde maximale :880nm

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Voir la description du produit

880nM 2 phototransistor de silicium des GOUPILLES 3DU5C NPN avec le métal encapsulé

Caractéristiques :

phototransistor de silicium du  NPN ;

modèle de  : 3DU5C
tension locale de  (maximum) : 10V ;
tension claque inverse de  : 15V ;
courant d'obscurité de  : 0.3uA
 Photocurrent : 0.5-1mA ;
puissance de  : 30mW ;
longueur d'onde maximale de  : 880nM
taille du corps de  : 7 x 5mm/0,28" x 0,2" (L*D) ;
longueur totale de  : 28mm/1,1" ;
matériel externe de  : Métal

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