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Technologie Ltd de l'électronique de Shenzhen ATFU

Shenzhen ATFU Electronics Technology LTD

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Accueil / produits / IGBT Transistor / La Manche ultra-rapide du transistor N d'IGBT, transistor bipolaire isolé de porte avec construit dans la diode /

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La Manche ultra-rapide du transistor N d'IGBT, transistor bipolaire isolé de porte avec construit dans la diode
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N-canal ultra-rapide de transistor de G40N60UFD IGBT avec construit dans la diode 600V 40A 160W, TO-3P Descriptions : La série de l'UFD de Fairchild ...
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