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Technologie Ltd de l'électronique de Shenzhen ATFU

Ville:shenzhen

Province / État:guangdong

Pays / Région:china

Contact:MissMia

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Paquet actuel du transistor IRF7404TRPBF 7.7A SOP8 de transistor MOSFET de la Manche SMD de la tension 20V P

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Numéro de type :IRF7404TRPBF

Point d'origine :Usine originale

Quantité d'ordre minimum :10pcs

Conditions de paiement :T/T, Union，PAYPAL ouest

Capacité d'approvisionnement :100000pcs

Délai de livraison :1-3 jours

Détails d'emballage :Box

Paquet :SOP8

Séries :Transistor de la Manche de SOP8 P

tension :20V

Application :pour des techniques de soudure de phase vapeur, infrarouges, ou de vague

Actuel :7.7A

D'entité :0.8w, approprié à l'application de bâti de carte PCB

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Transistor original de transistor MOSFET de 7h7 du matin de la Manche 20V d'IRF7404TRPBF SOP8 P

Description

La cinquième génération HEXFETs du redresseur international utilisent des techniques de traitement avancées pour réaliser la plus basse possible sur-résistance par secteur de silicium. Cet avantage, combiné avec la vitesse de commutation rapide et la conception robuste de dispositif que les transistors MOSFET de puissance de HEXFET sont bien connus pour, fournit au concepteur un dispositif extrêmement efficace pour l'usage dans une grande variété d'applications.

Le SO-8 a été modifié par un leadframe adapté aux besoins du client pour des caractéristiques augmentées et la capacité thermiques de multiple-matrice lui faisant l'idéal dans un grand choix d'applications de puissance. Avec ces améliorations, des dispositifs multiples peuvent être utilisés dans une application avec l'espace nettement réduit de conseil. Le paquet est conçu pour des techniques de soudure de phase vapeur, infrarouges, ou de vague. La dissipation de puissance de plus grand que 0.8W est possible dans une application typique de bâti de carte PCB.

Caractéristique

l echnology de la génération V T

l Sur-résistance très réduite

l transistor MOSFET de P-canal
l bâti de surface
l disponible dans la bande et la bobine

l estimation dynamique de dv/dt
l jeûnent commutation

Paquet

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