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Technologie Ltd de l'électronique de Shenzhen ATFU

Ville:shenzhen

Province / État:guangdong

Pays / Région:china

Contact:MissMia

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Tension actuelle 55V du transistor de puissance du transistor MOSFET 31A IRFR5305TRPBF pour le général de circuit de puissance

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Numéro de type :IRFR5305TRPBF

Point d'origine :Usine originale

Quantité d'ordre minimum :10pcs

Conditions de paiement :T/T, Union，PAYPAL ouest

Capacité d'approvisionnement :100000pcs

Délai de livraison :1-3 jours

Détails d'emballage :Box

Séries :Transistor de transistor MOSFET de puissance

Application :Général de circuit de puissance

Paquet :TO-252

tension :55V

Qualité :Technologie transformatrice avancée

Actuel :31A

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Transistor MOSFET de puissance du transistor TO252 55V 31A d'IRFR5305TRPBF pour le général de circuit de puissance

IRFR5305PbF

IRFU5305PbF

Description

La cinquième génération HEXFET s de redresseur international utilisent des techniques de traitement avancées pour réaliser extrêmement - la basse sur-résistance par secteur de silicium. Cet avantage, combiné avec la vitesse de commutation rapide et la conception robuste de dispositif que les transistors MOSFET de puissance de HEXFET® sont bien connus pour, fournit au concepteur un dispositif extrêmement efficace et fiable pour l'usage dans une grande variété d'applications.

Le D-PAK est conçu pour le support extérieur utilisant la phase vapeur, l'infrarouge, ou les techniques de soudure de vague. La version droite d'avance (série d'IRFU) est pour des applications de support d'à travers-trou. Les niveaux de dissipation de puissance jusqu'à 1,5 watts sont possibles dans des applications extérieures typiques de bâti.

Capacités absolues

	Paramètre	Maximum.	Unités
Identification @ comité technique =°C 25	Courant continu de drain, VGS @ -10V	-31	A
Identification @ comité technique =°C 100	Courant continu de drain, VGS @ -10V	-22
IDM	Courant pulsé de drain

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