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IRLR7843PbF IRLU7843PbF
Sélection de transistor MOSFET de puissance pour les convertisseurs non isolés de DC/DC
Capacités absolues
Paramètre |
Maximum. |
Unités |
|
VDS |
Tension de Drain-à-source |
30 |
V |
VGS |
Tension de Porte-à-source |
± 20 |
|
Identification @ COMITÉ TECHNIQUE = 25°C |
Courant continu de drain, VGS @ 10V |
161f |
A |
Identification @ COMITÉ TECHNIQUE = 100°C |
Courant continu de drain, VGS @ 10V |
113f |
|
IDM |
Drain pulsé c actuel |
620 |
|
Palladium @TC = 25°C |
Dissipation de puissance maximum g |
140 |
W |
Palladium @TC = 100°C |
Dissipation de puissance maximum g |
71 |
|
Facteur de sous-sollicitation linéaire |
0,95 |
W/°C |
|
TJ TSTG |
Température ambiante fonctionnante de jonction et de température de stockage |
-55 to+175 |
°C |
La température de soudure, pendant 10 secondes |
300 (1.6mm du cas) |
l le RDS très bas (dessus) à 4.5V VGS
l impédance très réduite de porte
l tension et courant d'avalanche entièrement caractérisés
Applications
l convertisseurs synchrones à haute fréquence de mâle pour la puissance de processeur d'ordinateur
l convertisseurs de DC-DC d'isolement par haute fréquence avec la rectification synchrone pour des télécom et l'usage industriel
l sans plomb