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Technologie Ltd de l'électronique de Shenzhen ATFU

Ville:shenzhen

Province / État:guangdong

Pays / Région:china

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China Transistor sans plomb de transistor MOSFET de la Manche de N, transistor à grande vitesse IRF640NPBF de transistor MOSFET de 200V 18A wholesale

Transistor sans plomb de transistor MOSFET de la Manche de N, transistor à grande vitesse IRF640NPBF de transistor MOSFET de 200V 18A

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Numéro de type :IRF640NPBF

Point d'origine :Usine originale

Quantité d'ordre minimum :10pcs

Conditions de paiement :T/T, Union，PAYPAL ouest

Capacité d'approvisionnement :100000pcs

Délai de livraison :1-3 jours

Détails d'emballage :Box

Séries :Transistor MOSFET N-CH de transport

Application :Applications Commercial-industrielles

Paquet :Transport d'IMMERSION

tension :200V

Qualité :Basse Sur-résistance par silicium

Actuel :18A

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La Manche 200V 18A du transport N d'IMMERSION d'IRF640NPBF commutant le transistor de puissance de transistor MOSFET

Description

Le transistor MOSFET s de puissance de ® de la cinquième génération HEXFET du redresseur international utilisent des techniques de traitement avancées pour réaliser extrêmement - la basse sur-résistance par secteur de silicium. Cet avantage, combiné avec la vitesse de commutation rapide et la conception robuste de dispositif que les transistors MOSFET de puissance de HEXFET sont bien connus pour, fournit au concepteur un dispositif extrêmement efficace et fiable pour l'usage dans une grande variété d'applications.
Le paquet TO-220 est universellement préféré pour toutes les applications commercial-industrielles aux niveaux de dissipation de puissance à approximativement 50 watts. La basse résistance thermique et le bas coût de paquet du TO-220 contribuent à son acceptation large dans toute l'industrie.
Le D2PAKestunpaquetextérieurdepuissancedebâticapabledeserviablemeurentdestaillesjusqu'àHEX-4. Ilfournitlacapacitéde lapuissancela plus élevéeetleplus baspossiblesurlarésistanceenn'importe quelpaquetextérieurexistantdebâti. LeD2PAKconvientauxapplicationsà forte intensitéen raisondesabasserésistanceinternedeconnexionetpeutabsorberjusqu'à2.0Wdansuneapplicationextérieuretypiquedebâti.
La version d'à travers-trou (IRF640NL) est disponible pour la basse application de profil.

Caractéristique

l technologie transformatrice avancée

l estimation dynamique de dv/dt
l 175°C actionnant l'emperature de T

l jeûnent commutation

l entièrement avalanche évaluée
l facilité de parallélisation
l conditions simples d'entraînement

l sans plomb

Paquet

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