Les transistors MOSFET HEXFET® Power avancés d'International Rectifier utilisent des techniques de traitement avancées pour obtenir une résistance de contact extrêmement faible par surface de silicium. Cet avantage, associé à la vitesse de commutation rapide et à la conception robuste des appareils pour lesquels les MOSFET de puissance HEXFET sont bien connus, offre au concepteur un appareil extrêmement efficace et fiable pour une utilisation dans une grande variété d'applications.
Le boîtier TO-220 est universellement préféré pour toutes les applications commerciales et industrielles à des niveaux de dissipation de puissance allant jusqu’à environ 50 watts. La faible résistance thermique et le faible coût total du TO-220 contribuent à sa large acceptation dans l’ensemble du secteur.

Caractéristiques

Technologie de processus avancée
Résistance ultra faible
Dynamique dv / dt
175 ° C Température de fonctionnement
Commutation rapide
Entièrement classé avalanche
Sans plomb

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Résistance très réduite de température de fonctionnement du transistor de puissance de transistor MOSFET d'IRF3205PbF 175°C dessus -

Puces de MCU

Puce de mémoire instantanée

Puce programmable d'IC

Puce d'IC d'amplificateur

Gestion IC de puissance

Conducteur IC de LED

Amplificateur de puissance audio IC

Puce de circuit intégré

Puce de carte

Diode de redresseur de puissance

module de 4g Wifi

Transistor d'IGBT

Transistor de puissance de transistor MOSFET

Puces de capteur

Coupleurs optos

Résistance très réduite de température de fonctionnement du transistor de puissance de transistor MOSFET d'IRF3205PbF 175°C dessus -

IRF3205PbF Transistors MOSFET de puissance MOSFET 55V 98A À-220 HEXFET®

La description

Caractéristiques