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Technologie Ltd de l'électronique de Shenzhen ATFU

Shenzhen ATFU Electronics Technology LTD

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Type épitaxial audio du silicium NPN de transistor d'IC d'amplificateur de puissance 2SC5171 200 mégahertz

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Technologie Ltd de l'électronique de Shenzhen ATFU
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Province / État:guangdong
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China Type épitaxial audio du silicium NPN de transistor d'IC d'amplificateur de puissance 2SC5171 200 mégahertz wholesale
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Type épitaxial audio du silicium NPN de transistor d'IC d'amplificateur de puissance 2SC5171 200 mégahertz
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Numéro de type :2SC5171
Point d'origine :Usine originale
Quantité d'ordre minimum :10pcs
Conditions de paiement :T/T, Union，PAYPAL ouest
Capacité d'approvisionnement :100000pcs
Délai de livraison :1-3 jours
Détails d'emballage :Box
Type :Les amplificateurs ébrèchent IC
Application :Applications d'amplificateur de puissance
Paquet :3 bornes PLONGENT
Caractéristique :Haute fréquence de transition
Grande largeur de bande :200 mégahertz
Série :Complémentaire à 2SA1930
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Type épitaxial applications du silicium NPN de transistor de 2SC5171 TOSHIBA d'amplificateur de puissance

 

 

CARACTÉRISTIQUES

 


• Haute fréquence de transition : pi = 200 mégahertz (type.)

• Complémentaire à 2SA1930

 

 

Caractéristiques électriques (comité technique = 25°C)

Caractéristiques

Symbole

Condition d'essai

Minute

Type.

Maximum

Unité

Courant de coupure de collecteur

ICBO

VCB = 180 V, IE = 0

-

-

5,0

μA

Courant de coupure d'émetteur

IEBO

VEB = 5 V, IC = 0

-

-

5,0

μA

Tension claque de collecteur-émetteur

PRÉSIDENT DE V (BR)

IC = 10 mA, IB = 0

180

-

-

V

Gain actuel de C.C

hFE (1)

VCE = 5 V, IC = 0,1 A

100

-

320

  

hFE (2)

VCE = 5 V, IC = 1 A

50

-

-

Tension de saturation de collecteur-émetteur

VCE (s'est reposé)

IC = 1 A, IB = 0,1 A

-

0,16

1,0

V

Tension d'émetteur de base

VBE

VCE = 5 V, IC = 1 A

-

0,68

1,5

V

Fréquence de transition

pi

VCE = 5 V, IC = 0,3 A

-

200

-

Mégahertz

Capacité de sortie de collecteur

Épi

VCB = 10 V, IE = 0, f = 1 mégahertz

-

16

-

PF

 

Capacités absolues (comité technique = 25°C)

Caractéristiques

Symbole

Estimation

Unité

Tension de collecteur-base

VCBO

180

V

Tension de collecteur-émetteur

VCEO

180

V

tension d'Émetteur-base

VEBO

5

V

Courant de collecteur

IC

2

Courant bas

IB

1

Dissipation de puissance de collecteur

Ventres = 25°C

PC

2,0

W

Comité technique = 25°C

20

La température de jonction

Tj

150

°C

Température ambiante de température de stockage

Tstg

−55150

°C

 

Applications


• Applications d'amplificateur de puissance

• Conducteur Stage Amplifier Applications

2SC5171 .pdf

Type épitaxial audio du silicium NPN de transistor d'IC d'amplificateur de puissance 2SC5171 200 mégahertz

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