Transistor de puissance de transistor MOSFET d'IMMERSION du P-canal 100V 40A 200W TO-220 d'IRF5210PBF
Description
La cinquième génération HEXFETs du redresseur international utilisent des techniques de traitement avancées pour réaliser extrêmement - la basse sur-résistance par secteur de silicium. Cet avantage, combiné avec la vitesse de commutation rapide et la conception robuste de dispositif que les transistors MOSFET de puissance de HEXFET sont bien connus pour, fournit au concepteur un dispositif extrêmement efficace et fiable pour l'usage dans une grande variété d'applications.
Le paquet TO-220 est universellement préféré pour toutes les applications commercial-industrielles aux niveaux de dissipation de puissance à approximativement 50 watts. La basse résistance thermique et le bas coût de paquet du TO-220 contribuent à son acceptation large dans toute l'industrie.
Caractéristiques
l technologie transformatrice avancée
l Sur-résistance très réduite
l estimation dynamique de dv/dt
l température de fonctionnement de 175°C
l jeûnent commutation
l P-canal
l entièrement avalanche évaluée
l sans plomb
Transistor de puissance de transistor MOSFET dans le bulletin de la cote :
IR1010NSPBF
IR2110PBF
IR2101STRPBF
IRLML2060TRPBF
IRLML9303TRPBF
IRLR8726TRPBF
IRLR2905ZPBF
IRLR8726TRLPBF
IRLR3636TRPBF
IRF7205TRPBF
IRFB4110PBF
IRF540ZSTRLPBF
IRF7342TRPBF
IRFZ48NPBF
IRF5210PBF
IRFD9120PBF
IRFR9310PBF
IRFR3607TRPBF
IRFZ48NPBF
IRFZ44N
IRF4905
IRF1010NSTRLPBF
IRF1404PBF
IRF7306TRPBF
IRF3710SPBF
IRF7455PBF
IRF730PBF
IRF7220TRPBF
IRF7406TRPBF
IRF7204TRPBF
IRF7301TRPBF
IRF7303TRPBF
IRF740PBF
IRF7424PBF/TRPBF
IRFR7546TRPBF
IRFR9024PBF
IRG4PC40KPBF
IRGP4068DPBF
IRG4PC50UDPBF
IRLZ44NPBF
IRLR024NTRPBF
IRLML6244TRPBF
IRL3803PBF
