
Add to Cart
TIP140, TIP141, TIP142, (NPN) ; TIP145, TIP146, TIP147, (PNP)
Les dispositifs sont fabriqués en technologie planaire avec la disposition « d'île basse » et la configuration monolithique de Darlington. Les transistors en résultant montrent la représentation à gain élevé exceptionnelle ajoutés à la tension de saturation très basse.
Conçu pour l'amplificateur polyvalent et les applications à vitesse réduite de commutation.
• Tension soutenante de collecteur-émetteur
VCEO (sus) = 60V (minimum) - TIP140, TIP145
= 80V (minimum) - TIP141, TIP146
= 100V (minimum) - TIP142, TIP147
• Tension de saturation de collecteur-émetteur
VCE (reposé) = 2.0V (maximum) à IC = à 5.0A
• Construction monolithique avec la résistance de shunt intégrée d'émetteur de base.
TIP142
TIP147
TIP142T
TIP147T
SUR DE TIP42CTU/FSC
SUR DE TIP41CTU/FSC
ST DE TIP42C
ST DE TIP41C
Le transistor de puissance bipolaire de Darlington est conçu pour l'amplificateur d'usage universel et les applications basses fréquences de commutation.
Le TIP140, TIP141, TIP142, (NPN) ; TIP145, TIP146, TIP147, (PNP) sont les dispositifs complémentaires.