Catégorie :Produits à base de semi-conducteurs discrets
Transistors et appareils électroniques
Les FET, les MOS
Caractéristique de FET :-
Statut du produit :Arrêté par Digi-Key
Type de montage :Monture de surface
Vgs(th) (maximum) @ Id :2V @ 250μA
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds :50 pF à 25 V
Série :-
Vgs (maximum) :± 20 V
Le paquet :Tape et bobine (TR)
Tape à découper (CT)
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur :SOT-523
Rds On (Max) @ Id, Vgs :7,5 ohms à 50 mA, 5 V
Mfr :Diodes incorporées
Température de fonctionnement :-55°C à 150°C (TJ)
Type de FET :N-canal
Voltage du moteur (max Rds activé, min Rds activé) :5V, 10V
Dissipation de puissance (maximum) :150mW (Ta)
Emballage / boîtier :SOT-523
Voltage d'évacuation à la source (Vdss) :60 V
Courant - écoulement continu (Id) @ 25°C :115mA (ventres)
La technologie :Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Numéro du produit de base :2N7002
Définition :Le système d'exploitation de l'appareil doit être équipé d'un moteur de commande.
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