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Shenzhen Zhaocun Electronics Co., Ltd.

Ville:shenzhen

Pays / Région:china

Contact:Mrwill

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Comité technique du comité technique 294W du transistor MOSFET IC 40 V 195A de la Manche d'IRFB7434PBF N par le trou TO-220AB

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Number modèle :IRFB7434PBF

Point d'origine :Les Etats-Unis

Quantité d'ordre minimum :50 PCS

Conditions de paiement :L/C, D/A, D/P, T/T

Capacité d'approvisionnement :20K PCS

Délai de livraison :2 ou 3 jours

Détails de empaquetage :50 PCS/Tube

Catégorie :FETs simples, transistors MOSFET

Mfr :Infineon Technologies

Série :HEXFET®, StrongIRFET™

Statut de produit :Actif

Type de FET :N-canal

Technologie :Transistor MOSFET (oxyde de métal)

Vidangez à la tension de source (Vdss) :40V

Actuel - drain continu (identification) @ 25°C :195A (comité technique)

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :6V, 10V

Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs :1.6mOhm @ 100A, 10V

Identification de Vgs (Th) (maximum) @ :3.9V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs :324 OR @ 10 V

Vgs (maximum) :±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds :10820 PF @ 25 V

Dissipation de puissance (maximum) :294W (comité technique)

Température de fonctionnement :-55°C | 175°C (TJ)

Montage du type :Par le trou

Paquet de dispositif de fournisseur :TO-220AB

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