L'électronique Cie., Ltd de Shenzhen Zhaocun.

Customer first Integrity-based Development and innovation

Manufacturer from China
Membre actif
3 Ans
Accueil / produits / Transistor de diode /

Bâti extérieur TO-252AA de comité technique du comité technique 52W du circuit 800V 4A de transistor MOSFET de la Manche du FET N de FCD1300N80Z

Contacter
L'électronique Cie., Ltd de Shenzhen Zhaocun.
Ville:shenzhen
Pays / Région:china
Contact:Mrwill
Contacter

Bâti extérieur TO-252AA de comité technique du comité technique 52W du circuit 800V 4A de transistor MOSFET de la Manche du FET N de FCD1300N80Z

Demander le dernier prix
Number modèle :FCD1300N80Z
Point d'origine :Les Etats-Unis
Quantité d'ordre minimum :2500 PCS
Conditions de paiement :L/C, D/A, D/P, T/T
Capacité d'approvisionnement :12.5K PCS
Délai de livraison :2 ou 3 jours
Détails de empaquetage :2500 PCS/Tape
Fabricant :onsemi
Catégorie :FETs simples, transistors MOSFET
Nombre de produit :FCD1300N80Z
Série :SuperFET® II
Statut de produit :Pas pour de nouvelles conceptions
Technologie :Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Vidangez à la tension de source (Vdss) :800 V
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C :4A (comité technique)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :10V
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs :1.3Ohm @ 2A, 10V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ :4.5V @ 400µA
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs :21 OR @ 10 V
Vgs (maximum) :±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds :880 PF @ 100 V
Dissipation de puissance (maximum) :52W (comité technique)
Température de fonctionnement :-55°C | 150°C (TJ)
Montage du type :Bâti extérieur
Paquet/cas :TO-252-3, DPak (2 avances + étiquettes), SC-63
Paquet de dispositif de fournisseur :TO-252AA
more
Contacter

Add to Cart

Trouver des vidéos similaires
Voir la description du produit
Inquiry Cart 0