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L'électronique Cie., Ltd de Shenzhen Zhaocun.

Ville:shenzhen

Pays / Région:china

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China Comité technique 277.8W PG-TO220-3 du niveau N 650V 31.2A de logique de transistor MOSFET de la Manche de la puissance élevée N d'IPP65R110CFDA wholesale

Comité technique 277.8W PG-TO220-3 du niveau N 650V 31.2A de logique de transistor MOSFET de la Manche de la puissance élevée N d'IPP65R110CFDA

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Number modèle :IPP65R110CFDA

Point d'origine :Les Etats-Unis

Quantité d'ordre minimum :50 PCS

Conditions de paiement :L/C, D/A, D/P, T/T

Capacité d'approvisionnement :6K PCS

Délai de livraison :2 ou 3 jours

Détails de empaquetage :50 PCS/Tube

Catégorie :FETs simples, transistors MOSFET

Mfr :Infineon Technologies

Série :Des véhicules à moteur, AEC-Q101, CoolMOS™

Statut de produit :Actif

Type de FET :N-canal

Technologie :Transistor MOSFET (oxyde de métal)

Vidangez à la tension de source (Vdss) :650V

Actuel - drain continu (identification) @ 25°C :31.2A (comité technique)

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :10V

Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs :110mOhm @ 12.7A, 10V

Identification de Vgs (Th) (maximum) @ :4.5V @ 1.3mA

Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs :118 OR @ 10 V

Vgs (maximum) :±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds :3240 PF @ 100 V

Dissipation de puissance (maximum) :277.8W (comité technique)

Température de fonctionnement :-40°C | 150°C (TJ)

Montage du type :Par le trou

Paquet de dispositif de fournisseur :PG-TO220-3

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