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Shenzhen Zhaocun Electronics Co., Ltd.

Ville:shenzhen

Pays / Région:china

Contact:Mrwill

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Bâti extérieur ATPAK de comité technique des ventres 60W du transistor MOSFET 60 V 55A de P-canal de transistor de diode d'ATP114-TL-H

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Number modèle :ATP114-TL-H

Point d'origine :Les Etats-Unis

Quantité d'ordre minimum :1000 PCs

Conditions de paiement :L/C, D/A, D/P, T/T

Capacité d'approvisionnement :3K PCS

Délai de livraison :2 ou 3 jours

Détails de empaquetage :1000 PCS/Tube

Catégorie :FETs simples, transistors MOSFET

Mfr :onsemi

Type de FET :P-canal

Technologie :Transistor MOSFET (oxyde de métal)

Vidangez à la tension de source (Vdss) :60 V

Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C :55A (ventres)

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :4V, 10V

Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs :16mOhm @ 28A, 10V

Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs :92 OR @ 10 V

Vgs (maximum) :±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds :4000 PF @ 20 V

Dissipation de puissance (maximum) :60W (comité technique)

Température de fonctionnement :150°C (TJ)

Montage du type :Bâti extérieur

Paquet de dispositif de fournisseur :ATPAK

Paquet/cas :ATPAK (2 Leads+Tab)

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