MICRON MT29F32G08CBADBWP de la gestion IC de puissance de NAND Flash Memory Ic Chip
Gamme de produits
Caractéristiques d'appli
VDD = VDDQ = 1.35V (1.283-1.45V) Vers l'arrière - compatible à VDD = VDDQ = 1.5V ±0.075V
Soutient des dispositifs de DDR3L pour être vers l'arrière compatible dans les applications 1.5V
Stroboscope bidirectionnel différentiel de données architecture du prefetch 8n-bit Arrêt nominal et dynamique de sur-matrice (ODT) pour les données, le stroboscope, et les signaux de masque Latence programmable de CAS (LU) (CL) Latence additive signalée programmable de CAS (AL) Latence programmable de CAS (ÉCRIVEZ) (cwl) Longueur éclatée fixe (BL) de 8 et de côtelette d'éclat (puisque)
Données de base
Attribut de produit
Valeur d'attribut
Fabricant : MICRON
Catégorie de produit :
Conducteurs de porte
RoHS :
Détails
Produit : Mémoire IC
Montage du style : SMD/SMT
Paquet/cas : FBGA-96 (9x14)
Série : MT41K256M16HA-125 : E
Emballage : Bobine
Emballage : Coupez la bande
Emballage : Bobine
Marque :
MICRON
Humidité sensible :
Oui
Type de produit :
Conducteurs de porte
2500
Sous-catégorie :
NAND Flash
Technologie :
SI
Nom commercial :
NexFET
Poids spécifique :
0,001686 onces
FICHE TECHNIQUE DE TÉLÉCHARGEMENT
MICRON MT41K256M16HA-125 de NAND Flash Memory Ic Chip RDA SDRAM : E
Application
Ultrabook/convertisseurs du carnet DC/DC Vcore multiphasé et solutions de la RDA Mâle synchrone de Point-de-charge dans NetworkingTelecom, et systèmes de calcul Systèmes à piles Applications portatives de HDMI Applications d'USB-OTG Téléphones portables, téléphones intelligents
Processus d'ordre
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Application
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