VDD = VDDQ = 1.35V (1.283-1.45V)
Vers l'arrière - compatible à VDD = VDDQ = 1.5V ±0.075V
- Soutient des dispositifs de DDR3L pour être vers l'arrière compatible dans les applications 1.5V
Stroboscope bidirectionnel différentiel de données
architecture du prefetch 8n-bit
Arrêt nominal et dynamique de sur-matrice (ODT) pour les données, le stroboscope, et les signaux de masque
Latence programmable de CAS (LU) (CL)
Latence additive signalée programmable de CAS (AL)
Latence programmable de CAS (ÉCRIVEZ) (cwl)
Longueur éclatée fixe (BL) de 8 et de côtelette d'éclat (puisque)

Caractéristiques

Attribut de produit	Valeur d'attribut
Fabricant :	Technologie de micron
Catégorie de produit :	NAND Flash
RoHS :	Détails
Montage du style :	SMD/SMT
Paquet/cas :	TSOP-48
Série :	MT29F
Capacité de la mémoire :	2 Gbit
Type d'interface :	Parallèle
Organisation :	128 M X 16
Type de synchronisation :	Asynchrone
Largeur de bus de données :	bit 16
Tension d'alimentation - minute :	2,7 V
Tension d'alimentation - maximum :	3,6 V
Courant d'approvisionnement - maximum :	35 mA
Température de fonctionnement minimum :	0 C
Température de fonctionnement maximum :	+ 70 C
Emballage :	Bobine
Emballage :	Coupez la bande
Emballage :	Bobine
Marque :	Micron
Type de mémoire :	Non-et
Produit :	NAND Flash
Type de produit :	NAND Flash
Norme :	Non soutenu
	1000
Sous-catégorie :	Mémoire et stockage de données
Type :	Aucun bloc de botte

FICHE TECHNIQUE DE TÉLÉCHARGEMENT

Application

Processus d'ordre

Ajoutez les pièces à la forme de RFQ Soumettez le RFQ Nous répondons d'ici 24 heures

Vous confirmez l'ordre Paiement Bateau votre ordre

Plus de mémoire IC Chip Models

Application

Chip Diagram

Mots clés du produit:

flash memory datasheet

pentium 3 ram

Inquiry Cart 0

Ajoutez les pièces à la forme de RFQ	Soumettez le RFQ	Nous répondons d'ici 24 heures
Vous confirmez l'ordre	Paiement	Bateau votre ordre