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Statut de partie | Actif |
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Type de FET | N et P-canal |
Caractéristique de FET | Porte de niveau de logique |
Vidangez à la tension de source (Vdss) | 30V |
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C | 7A, 5A |
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs | 28 mOhm @ 7A, 10V |
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ | 3V @ 250µA |
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs | 16nC @ 10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds | 575pF @ 15V |
Puissance - maximum | 900mW |
Température de fonctionnement | -55°C | 150°C (TJ) |
Montage du type | Bâti extérieur |
Paquet/cas | 8-SOIC (0,154", largeur de 3.90mm) |
Paquet de dispositif de fournisseur | 8-SO |
Expédition | UPS/EMS/DHL/FedEx exprès. |
Condition | Nouvelle usine originale. |