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KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

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Rangées de transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ SI7942DP-T1-GE3

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China Rangées de transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ SI7942DP-T1-GE3 wholesale
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Rangées de transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ SI7942DP-T1-GE3
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Numéro de la pièce :SI7942DP-T1-GE3
Fabricant :Vishay Siliconix
Description :Transistor MOSFET 2N-CH 100V 3.8A PPAK SO-8
Catégorie :Transistors - FETs, transistors MOSFET - rangées
Famille :Transistors - FETs, transistors MOSFET - rangées
Série :TrenchFET®
Point d'origine :Original
Quantité d'ordre minimum :Négociable
Délai de livraison :Négociable
Conditions de paiement :T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement :100000
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Caractéristiques SI7942DP-T1-GE3

Statut de partie Actif
Type de FET N-canal 2 (double)
Caractéristique de FET Porte de niveau de logique
Vidangez à la tension de source (Vdss) 100V
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C 3.8A
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs 49 mOhm @ 5.9A, 10V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ 4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs 24nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds -
Puissance - maximum 1.4W
Température de fonctionnement -55°C | 150°C (TJ)
Montage du type Bâti extérieur
Paquet/cas PowerPAK® SO-8 double
Paquet de dispositif de fournisseur PowerPAK® SO-8 double
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

Emballage SI7942DP-T1-GE3

Détection

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