produits Fournisseurs Sign in Register

KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Spot supplier in China,YJDN TECHNOLOGY CO., Ltd was established in 2008. One of the largest electronic components distributors in Hongkong and Shenzhen, China.YDJN provides a full range of services

Manufacturer from China
Membre actif
3 Ans
Accueil le catalogue des produits Profil de la société Contrôle de qualité Contactez nous demande un quota
Français
Accueil / produits / Field Effect Transistor /

Rangées de transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ de NTHD3100CT1G

Catégories de produits

Circuits intégrés ICS

 [3000]

Puce d'IC de mémoire

 [3000]

Isolant analogue IC

 [2527]

Microcontrôleurs et processeurs incorporés

 [3000]

Transistor à effet de champ

 [1828]

Module d'alimentation d'IGBT

 [1002]

Triode de diode

 [303]

Condensateur d'usage universel

 [41]

Les connecteurs relie ensemble

 [83]

Inducteur de puissance de SMD

 [100]

Composant de relais

 [203]

Fusibles de protection de circuit

 [195]
Contacter
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED
Pays / Région:china
Contact:MissVicky
Coordonnées du contact
Contacter
China Rangées de transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ de NTHD3100CT1G wholesale
  • China Rangées de transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ de NTHD3100CT1G wholesale

Rangées de transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ de NTHD3100CT1G
Demander le dernier prix
Numéro de la pièce :NTHD3100CT1G
Fabricant :SUR le semi-conducteur
Description :Transistor MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET
Catégorie :Transistors - FETs, transistors MOSFET - rangées
Famille :Transistors - FETs, transistors MOSFET - rangées
Point d'origine :Original
Quantité d'ordre minimum :Négociable
Délai de livraison :Négociable
Conditions de paiement :T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement :100000
more
Contacter

Add to Cart
Trouver des vidéos similaires
Voir la description du produit

Caractéristiques de NTHD3100CT1G

Statut de partie Actif
Type de FET N et P-canal
Caractéristique de FET Porte de niveau de logique
Vidangez à la tension de source (Vdss) 20V
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C 2.9A, 3.2A
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs 80 mOhm @ 2.9A, 4.5V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ 1.2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs 2.3nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds 165pF @ 10V
Puissance - maximum 1.1W
Température de fonctionnement -55°C | 150°C (TJ)
Montage du type Bâti extérieur
Paquet/cas 8-SMD, avance plate
Paquet de dispositif de fournisseur ChipFET™
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

Emballage de NTHD3100CT1G

Détection

Rangées de transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ de NTHD3100CT1GRangées de transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ de NTHD3100CT1GRangées de transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ de NTHD3100CT1GRangées de transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ de NTHD3100CT1G

Inquiry Cart 0

Home Products Suppliers About Us Contact Us Help Site Map 公司介绍 联系我们

Français Русский язык Español 日本語 Português

China Hot Products: A | B | C | D | E | F | G | H | I | J | K | L | M | N | O | P | Q | R | S | T | U | V | W | X | Y | Z | 0~9

Copyright © 2009-2025 Everychina.com. All rights reserved. 京ICP备09074326号-4