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KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

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Rangées de transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ de FDG6316P

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China Rangées de transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ de FDG6316P wholesale
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Rangées de transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ de FDG6316P
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Numéro de la pièce :FDG6316P
Fabricant :Semi-conducteur de Fairchild/ON
Description :Transistor MOSFET 2P-CH 12V 0.7A SC70-6
Catégorie :Transistors - FETs, transistors MOSFET - rangées
Famille :Transistors - FETs, transistors MOSFET - rangées
Série :PowerTrench®
Point d'origine :Original
Quantité d'ordre minimum :Négociable
Délai de livraison :Négociable
Conditions de paiement :T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement :100000
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Caractéristiques de FDG6316P

Statut de partie Actif
Type de FET P-canal 2 (double)
Caractéristique de FET Porte de niveau de logique
Vidangez à la tension de source (Vdss) 12V
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C 700mA
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs 270 mOhm @ 700mA, 4.5V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ 1.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs 2.4nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds 146pF @ 6V
Puissance - maximum 300mW
Température de fonctionnement -55°C | 150°C (TJ)
Montage du type Bâti extérieur
Paquet/cas 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Paquet de dispositif de fournisseur SC-70-6
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

Emballage de FDG6316P

Détection

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