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Statut de partie | Actif |
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Type de FET | N-canal 2 (demi pont) |
Caractéristique de FET | Carbure de silicium (sic) |
Vidangez à la tension de source (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C | 444A (comité technique) |
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs | 4,3 mOhm @ 400A, 20V |
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ | 4V @ 105mA |
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs | 1127nC @ 20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds | - |
Puissance - maximum | 3000W |
Température de fonctionnement | 175°C (TJ) |
Montage du type | - |
Paquet/cas | Module |
Paquet de dispositif de fournisseur | Module |
Expédition | UPS/EMS/DHL/FedEx exprès. |
Condition | Nouvelle usine originale. |