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KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

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Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ NPT2010
Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ NPT2010
  • Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ NPT2010
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Caractéristiques NPT2010 Statut de partie Actif Type de transistor HEMT Fréquence 0Hz | 2.2GHz Gain 15dB Tension - essai 48V Estimation actuelle - ...
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