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KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

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Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ BLL6G1214L-250,112

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China Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ BLL6G1214L-250,112 wholesale
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Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ BLL6G1214L-250,112
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Numéro de la pièce :BLL6G1214L-250,112
Fabricant :Ampleon USA Inc.
Description :FET LDMOS 89V 15DB SOT502A de RF
Catégorie :Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Famille :Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Point d'origine :Original
Quantité d'ordre minimum :Négociable
Délai de livraison :Négociable
Conditions de paiement :T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement :100000
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Caractéristiques BLL6G1214L-250,112

Statut de partie Obsolète
Type de transistor LDMOS
Fréquence 1.2GHz | 1.4GHz
Gain 15dB
Tension - essai 36V
Estimation actuelle -
Chiffre de bruit -
Actuel - essai 150mA
Puissance de sortie 250W
Tension - évaluée 89V
Paquet/cas SOT-502A
Paquet de dispositif de fournisseur LDMOST
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

Emballage BLL6G1214L-250,112

Détection

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ BLL6G1214L-250,112Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ BLL6G1214L-250,112Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ BLL6G1214L-250,112Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ BLL6G1214L-250,112

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