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KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

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Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ BLL6G1214L-250,112
Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ BLL6G1214L-250,112
  • Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ BLL6G1214L-250,112
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Caractéristiques BLL6G1214L-250,112 Statut de partie Obsolète Type de transistor LDMOS Fréquence 1.2GHz | 1.4GHz Gain 15dB Tension - essai 36V ...
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