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KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

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Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ BLD6G21L-50,112
Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ BLD6G21L-50,112
  • Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ BLD6G21L-50,112
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Caractéristiques BLD6G21L-50,112 Statut de partie Obsolète Type de transistor LDMOS (double), source commune Fréquence 2.02GHz Gain 14.5dB Tension - ...
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