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KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

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Transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ SI1443EDH-T1-GE3 simples

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China Transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ SI1443EDH-T1-GE3 simples wholesale
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Transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ SI1443EDH-T1-GE3 simples
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Numéro de la pièce :SI1443EDH-T1-GE3
Fabricant :Vishay Siliconix
Description :Transistor MOSFET P-CH 30V 4A SOT-363
Catégorie :Transistors - FETs, transistors MOSFET - simples
Famille :Transistors - FETs, transistors MOSFET - simples
Série :TrenchFET®
Point d'origine :Original
Quantité d'ordre minimum :Négociable
Délai de livraison :Négociable
Conditions de paiement :T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement :100000
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Caractéristiques SI1443EDH-T1-GE3

Statut de partie Actif
Type de FET P-canal
Technologie Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Vidangez à la tension de source (Vdss) 30V
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C 4A (comité technique)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ 1.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs 28nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds -
Vgs (maximum) ±12V
Caractéristique de FET -
Dissipation de puissance (maximum) 1.6W (merci), 2.8W (comité technique)
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs 54 mOhm @ 4.3A, 10V
Température de fonctionnement -55°C | 150°C (TJ)
Montage du type Bâti extérieur
Paquet de dispositif de fournisseur SOT-363
Paquet/cas 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

Emballage SI1443EDH-T1-GE3

Détection

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