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Statut de partie | Achat de la fois passée |
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Type de FET | N-canal |
Technologie | Transistor MOSFET (oxyde de métal) |
Vidangez à la tension de source (Vdss) | 20V |
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C | 1A (ventres) |
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ | 800mV @ 250µA |
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs | 1.57nC @ 4.5V |
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds | 101pF @ 10V |
Vgs (maximum) | - |
Caractéristique de FET | - |
Dissipation de puissance (maximum) | 350mW (ventres) |
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs | 225 mOhm @ 1A, 4.5V |
Température de fonctionnement | -55°C | 150°C (TJ) |
Montage du type | Bâti extérieur |
Paquet de dispositif de fournisseur | SC-70-3 |
Paquet/cas | SC-70, SOT-323 |
Expédition | UPS/EMS/DHL/FedEx exprès. |
Condition | Nouvelle usine originale. |