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Statut de partie | Actif |
---|---|
Type de FET | N-canal |
Technologie | Transistor MOSFET (oxyde de métal) |
Vidangez à la tension de source (Vdss) | 100V |
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C | 39A (comité technique) |
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ | 2V @ 1mA |
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs | 48nC @ 5V |
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds | 3072pF @ 25V |
Vgs (maximum) | ±15V |
Caractéristique de FET | - |
Dissipation de puissance (maximum) | 158W (comité technique) |
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs | 39 mOhm @ 25A, 10V |
Température de fonctionnement | -55°C | 175°C (TJ) |
Montage du type | Bâti extérieur |
Paquet de dispositif de fournisseur | D2PAK |
Paquet/cas | TO-263-3, ² PAK (2 avances + étiquettes) de D, TO-263AB |
Expédition | UPS/EMS/DHL/FedEx exprès. |
Condition | Nouvelle usine originale. |