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KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Spot supplier in China,YJDN TECHNOLOGY CO., Ltd was established in 2008. One of the largest electronic components distributors in Hongkong and Shenzhen, China.YDJN provides a full range of services

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Accueil / produits / Field Effect Transistor /

Transistor MOSFET simple IR de la Manche du transistor à effet de champ d'IRFB3206PBF 60V N

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Microcontrôleurs et processeurs incorporés

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KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED
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China Transistor MOSFET simple IR de la Manche du transistor à effet de champ d'IRFB3206PBF 60V N wholesale
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Transistor MOSFET simple IR de la Manche du transistor à effet de champ d'IRFB3206PBF 60V N
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Number modèle :IRFB3206PBF
Quantité minimum d'achat :Négociable
Conditions de paiement :T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement :Quantité disponible 4128 morceaux
Délai de livraison :Négociable
Modèle de produit :IRFB3206PBF
Paquet de fournisseur :TO-220-3
Brève description :Semi-conducteurs
Catégorie de produit :Mosfé
Domaines d'application :Pilotes de porte
Date de fabrication :D'ici un an
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N-canal simple IR 60V de transistor MOSFET de transistor à effet de champ d'IRFB3206PBF

 

Gamme de produits
 
  • 60V N-canal simple IR MOSFET™ dans un paquet de TO-220AB
Caractéristiques d'appli
  • Optimisé pour la plus large disponibilité des associés de distribution
  • Qualification de produit selon la norme de JEDEC
  • Paquet industriellement compatible de puissance d'à travers-trou
  • Paquet de transport à forte intensité de capacité
  • Compatibilité à plusieurs fournisseurs
  • Niveau industriellement compatible de qualification
  • Le pinout standard tient compte de la baisse en remplacement
  • Capacité de transport actuelle accrue
Données de base
  
Attribut de produit Valeur d'attribut
Infineon
Catégorie de produit : Transistor MOSFET
RoHS : Détails
SI
Par le trou
TO-220-3
N-canal
La 1 Manche
60 V
210 A
2,4 mOhms
- 20 V, + 20 V
4 V
120 OR
- 55 C
+ 175 C
300 W
Amélioration
Tube
Marque : Infineon Technologies
Configuration : Simple
Taille : 15,65 millimètres
Longueur : 10 millimètres
Type de produit : Transistor MOSFET
1000
Sous-catégorie : Transistors MOSFET
Type de transistor : 1 N-canal
Largeur : 4,4 millimètres
Partie # noms d'emprunt : IRFB3206PBF
Poids spécifique : 0,068784 onces

 

FICHE TECHNIQUE DE TÉLÉCHARGEMENT
Application
 
  •  imprimantes 3D
  •  Appareils ménagers
  •  Contrôle et commandes de moteur
  •  Machines-outils
  •  Solution de confiance de semi-conducteur pour les véhicules électriques légers (LEV)
  •  Moteurs de BLDC
  •  Moteurs synchrones à un aimant permanent triphasés
  •  Inverseurs
  •  Demi conducteurs de pont
  •  Systèmes de contrôle robotiques
  •  Appareils
  •  Infrastructure de grille
  •  EPOS • Theate à la maison
Processus d'ordre

 

Ajoutez les pièces à la forme de RFQ Soumettez le RFQ Nous répondons d'ici 24 heures
Vous confirmez l'ordre Paiement Bateau votre ordre
Plus de modèles des circuits intégrés IC

 

Circuits intégrés IC
SSD2832G24 SSD2830QL9 SSD2829QL9 SSD2861QN10 SSD2858K1
SSD2848K1 SSD2828QN4 SSD2805CG39R SSD1963G41 A4988SETTR-T
MIC28515T-E/PHA MIC28514T-E/PHA MIC28513-1YFL-TR MIC28516T-E/PHA MIC28510YJL-TR
TPS54160DGQR TPS54160ADRCR TPS54140ADRCR TPS5410MDREP TPS54336ADDAR
LM2596SXADJ LM2596SX-3.3 LM2596SX-5.0 LM2596SX-12 DRV8312DDWR
Microcontrôleurs-MCU
STM8S003F3P6 STM8S003F3U6TR STM8S003K3T6C STM8S003F3P6TR STM8S003K3T6CT
STM8S005C6T6C STM8S005K6T6C STM8S103K3T6C STM8S105K6T6C Plus de modèles d'IC
STM32F030R8T6 STM32F030C6T6 STM32F030F4P6 STM32F030C8T6 STM32F030K6T6
STM32F030R8T6TR STM32F030CCT6 STM32F030RCT6 STM32F030K6T6T STM32F030CCT6TR
STM32F042C6T6 STM32F042K6T6 STM32F042K4U6 STM32F042F6P7 STM32F042F4P6TR
STM32F042K6U7 STM32F042G4U6 STM32F042F4P6 STM32F042C6U7 STM32F042K6T7
Chip Diagram

Transistor MOSFET simple IR de la Manche du transistor à effet de champ d'IRFB3206PBF 60V NTransistor MOSFET simple IR de la Manche du transistor à effet de champ d'IRFB3206PBF 60V N

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