La mémoire instantanée IC de MUN5314DW1T1G ébrèchent les transistors SOT363 bipolaires

Transistors bipolaires de MUN5314DW1T1G SOT363 - 100mA Pré-décentré 50V complémentaire NPN et PNP

Note :
1. Pour les modèles d'IC, de la diode et de la triode, le format de citation est : modèle + paquet + quantité complets.
2. le condensateur et la résistance doivent être informés du volume (taille) et du paquet, fournissent svp le modèle et les spécifications complets, de sorte que nous puissions citer plus rapidement et commodément.
3. les clients doivent envoyer des documents d'Excel ou de mot pour citer, et doivent également attacher des images pour notre référence si nécessaire.

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Recherche semblable
Fabricant :	onsemi
Catégorie de produit :	Transistors bipolaires - Pré-décentrés
RoHS :	Détails
Configuration :	Double
Polarité de transistor :	NPN, PNP
Résistance d'entrée typique :	10 kOhms
Rapport typique de résistance :	0,21
Montage du style :	SMD/SMT
Paquet/cas :	SOT-363-6
Collecteur de C.C/minute de référence de hfe de gain :	80
Tension de collecteur-émetteur VCEO maximum :	50 V
Courant de collecteur continu :	0,1 A
Courant de collecteur maximal de C.C :	100 mA
Palladium - dissipation de puissance :	187 mW
Température de fonctionnement minimum :	- 55 C
Température de fonctionnement maximum :	+ 150 C
Série :	MUN5314DW1
Emballage :	Bobine
Emballage :	Coupez la bande
Emballage :	MouseReel
Marque :	onsemi
HFE de gain actuel de C.C maximum :	80 à 5 mA à 10 V
Taille :	0,9 millimètres
Longueur :	2 millimètres
Nombre de canaux :	La Manche 2
Type de produit :	BJTs - transistors bipolaires - Pré-décentré
Quantité de paquet d'usine :	3000
Sous-catégorie :	Transistors
Largeur :	1,25 millimètres
Poids spécifique :	0,000219 onces

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