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Fabricant :	Infineon
Catégorie de produit :	Transistor MOSFET
RoHS :	Détails
Technologie :	SI
Montage du style :	SMD/SMT
Paquet/cas :	TO-252-3
Polarité de transistor :	N-canal
Nombre de canaux :	La 1 Manche
Vds - tension claque de Drain-source :	60 V
Identification - courant continu de drain :	25 A
Le RDS sur - la résistance de Drain-source :	23 mOhms
Vgs - tension de Porte-source :	- 16 V, + 16 V
Th de Vgs - tension de seuil de Porte-source :	1,2 V
Qg - charge de porte :	OR 16,3
Température de fonctionnement minimum :	- 55 C
Température de fonctionnement maximum :	+ 175 C
Palladium - dissipation de puissance :	29 W
Mode de la Manche :	Amélioration
Nom commercial :	OptiMOS
Emballage :	Bobine
Emballage :	Coupez la bande
Emballage :	MouseReel
Marque :	Infineon Technologies
Configuration :	Simple
Temps de chute :	2 NS
Taille :	2,3 millimètres
Longueur :	6,5 millimètres
Type de produit :	Transistor MOSFET
Temps de montée :	1 NS
Série :	OptiMOS-T2
	2500
Sous-catégorie :	Transistors MOSFET
Type de transistor :	1 N-canal
Temps de retard d'arrêt typique :	15 NS
Temps de retard d'ouverture typique :	6 NS
Largeur :	6,22 millimètres
Partie # noms d'emprunt :	IPD25N6S4L3XT SP000481508 IPD25N06S4L30ATMA1
Poids spécifique :	0,011640 onces

Mots clés du produit:

mosfet diagram

common anode 7 segment

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