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Fossé de la Manche du circuit intégré 30V N de microcontrôleur de PMPB11EN

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Pays / Région:china
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Fossé de la Manche du circuit intégré 30V N de microcontrôleur de PMPB11EN

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Number modèle :PMPB11EN
Point d'origine :NEXPERIA
Quantité d'ordre minimum :1
Conditions de paiement :T/T
Capacité d'approvisionnement :3000
Détails de empaquetage :Les cartons
Fabricant :NEXPERIA
Catégorie de produit :Transistor MOSFET
Technologie :SI
Montage du style :SMD/SMT
Paquet/cas :DFN-2020-6
Polarité de transistor :N-canal
Nombre de canaux :La 1 Manche
Vds - tension claque de Drain-source :30 V
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Fossé de la Manche du circuit intégré 30V N de microcontrôleur de PMPB11EN

PMPB11EN, 115' transistor MOSFET de fossé de N-canal du transistor MOSFET N-CH 30V 9A DFN2020MD-6'MOSFET 30V

Nexperia
Transistor MOSFET
RoHS : Détails
SI
SMD/SMT
DFN-2020-6
N-canal
La 1 Manche
30 V
13 A
mOhms 14,5
- 20 V, + 20 V
1 V
OR 13,7
- 55 C
+ 150 C
1,7 W
Amélioration
Bobine
Coupez la bande
MouseReel
Marque : Nexperia
Configuration : Simple
Temps de chute : 9 NS
Transconductance en avant - minute : 20 S
Type de produit : Transistor MOSFET
Temps de montée : 10 NS
3000
Sous-catégorie : Transistors MOSFET
Type de transistor : 1 N-canal
Temps de retard d'arrêt typique : 17 NS
Temps de retard d'ouverture typique : 9 NS
Partie # noms d'emprunt : 934066621115
Poids spécifique : 0,000238 onces
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